បន្ទះសៀគ្វី Sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ សម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកបរិមាណខ្ពស់

ការពិពណ៌នាខ្លី៖

បន្ទះឈីបរាងកណ្តៀងទំហំ 12 អ៊ីញត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីបំពេញតម្រូវការកាន់តែកើនឡើងសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងអុបតូអេឡិចត្រូនិកក្នុងតំបន់ធំដែលមានទិន្នផលខ្ពស់។ ដោយសារស្ថាបត្យកម្មឧបករណ៍បន្តពង្រីក និងខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មផ្លាស់ប្តូរទៅជាទម្រង់បន្ទះឈីបទំហំធំជាងមុន ស្រទាប់ឈីបរាងកណ្តៀងដែលមានអង្កត់ផ្ចិតធំបំផុតផ្តល់នូវគុណសម្បត្តិច្បាស់លាស់ក្នុងផលិតភាព ការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពទិន្នផល និងការគ្រប់គ្រងថ្លៃដើម។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

លក្ខណៈពិសេស

ដ្យាក្រាមលម្អិត

pl30139633-12_កញ្ចក់_ត្បូងកណ្តៀង_២_បន្ទះ

សេចក្តីផ្តើមនៃបន្ទះ sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ

បន្ទះគ្រីស្តាល់ត្បូងកណ្តៀងទំហំ 12 អ៊ីញរបស់យើងផលិតពីគ្រីស្តាល់តែមួយ Al₂O₃ ដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ រួមបញ្ចូលគ្នានូវកម្លាំងមេកានិចដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ស្ថេរភាពកម្ដៅ និងគុណភាពផ្ទៃ។ តាមរយៈការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ដែលបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើង និងការដំណើរការបន្ទះគ្រីស្តាល់ដ៏ជាក់លាក់ ស្រទាប់ខាងក្រោមទាំងនេះផ្តល់នូវដំណើរការដែលអាចទុកចិត្តបានសម្រាប់កម្មវិធី LED, GaN និងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកពិសេសកម្រិតខ្ពស់។

លក្ខណៈសម្ភារៈ

ត្បូងកណ្តៀង (អុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូមគ្រីស្តាល់តែមួយ Al₂O₃) ត្រូវបានគេស្គាល់យ៉ាងច្បាស់ដោយសារលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត និងគីមីដ៏លេចធ្លោរបស់វា។ បន្ទះត្បូងកណ្តៀងទំហំ 12 អ៊ីញទទួលមរតកគុណសម្បត្តិទាំងអស់នៃវត្ថុធាតុត្បូងកណ្តៀង ខណៈពេលដែលផ្តល់នូវផ្ទៃដែលអាចប្រើប្រាស់បានធំជាង។

លក្ខណៈសម្ភារៈសំខាន់ៗរួមមាន៖

ភាពរឹងខ្ពស់ខ្លាំង និងធន់នឹងការពាក់
ស្ថេរភាពកម្ដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងចំណុចរលាយខ្ពស់
ភាពធន់នឹងសារធាតុគីមីខ្ពស់ចំពោះអាស៊ីត និងអាល់កាឡាំង
តម្លាភាពអុបទិកខ្ពស់ពីរលកពន្លឺ UV ដល់ IR
លក្ខណៈសម្បត្តិអ៊ីសូឡង់អគ្គិសនីដ៏ល្អឥតខ្ចោះ

លក្ខណៈទាំងនេះធ្វើឱ្យបន្ទះ sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ សមស្របសម្រាប់បរិយាកាសដំណើរការដ៏អាក្រក់ និងដំណើរការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

ដំណើរការផលិត

ការផលិតបន្ទះកញ្ចក់ sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ តម្រូវឱ្យមានការលូតលាស់គ្រីស្តាល់កម្រិតខ្ពស់ និងបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់។ ដំណើរការផលិតធម្មតារួមមាន៖

ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់តែមួយ
គ្រីស្តាល់ត្បូងកណ្តៀងដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ត្រូវបានដាំដុះដោយប្រើវិធីសាស្ត្រទំនើបដូចជា KY ឬបច្ចេកវិទ្យាលូតលាស់គ្រីស្តាល់ដែលមានអង្កត់ផ្ចិតធំផ្សេងទៀត ដែលធានាបាននូវការតម្រង់ទិសគ្រីស្តាល់ឯកសណ្ឋាន និងភាពតានតឹងខាងក្នុងទាប។
ការកាត់ និងបង្កើតរាងគ្រីស្តាល់
ដុំត្បូងកណ្តៀងត្រូវបានបង្កើតរូបរាងយ៉ាងច្បាស់លាស់ និងកាត់ជាបន្ទះទំហំ 12 អ៊ីញ ដោយប្រើឧបករណ៍កាត់ដែលមានភាពត្រឹមត្រូវខ្ពស់ ដើម្បីកាត់បន្ថយការខូចខាតក្រោមផ្ទៃដី។
ការលាប និងការប៉ូលា
ដំណើរការកិនច្រើនជំហាន និងការប៉ូលាមេកានិចគីមី (CMP) ត្រូវបានអនុវត្ត ដើម្បីសម្រេចបាននូវភាពរដុបនៃផ្ទៃ ភាពរាបស្មើ និងឯកសណ្ឋានកម្រាស់ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។
ការសម្អាត និងការត្រួតពិនិត្យ
បន្ទះត្បូងកណ្តៀងទំហំ 12 អ៊ីញនីមួយៗត្រូវបានឆ្លងកាត់ការសម្អាតយ៉ាងហ្មត់ចត់ និងការត្រួតពិនិត្យយ៉ាងតឹងរ៉ឹង រួមទាំងគុណភាពផ្ទៃ ការវិភាគ TTV កោង ការកោង និងការវិភាគពិការភាព។

កម្មវិធី

បន្ទះគ្រីស្តាល់ទំហំ 12 អ៊ីញ ត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងបច្ចេកវិទ្យាទំនើប និងកំពុងរីកចម្រើន រួមមាន៖

ស្រទាប់ LED ថាមពលខ្ពស់ និងពន្លឺខ្ពស់
ឧបករណ៍ថាមពលដែលមានមូលដ្ឋានលើ GaN និងឧបករណ៍ RF
ឧបករណ៍ផ្ទុកឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងស្រទាប់ខាងក្រោមអ៊ីសូឡង់
បង្អួចអុបទិក និងសមាសធាតុអុបទិកទំហំធំ
ការវេចខ្ចប់ស៊ីមីកុងដុកទ័រកម្រិតខ្ពស់ និងឧបករណ៍ដឹកជញ្ជូនដំណើរការពិសេស

អង្កត់ផ្ចិតធំអនុញ្ញាតឱ្យមានទិន្នផលខ្ពស់ជាងមុន និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពថ្លៃដើមក្នុងការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំ។

គុណសម្បត្តិនៃបន្ទះ Sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ

ផ្ទៃដែលអាចប្រើប្រាស់បានធំជាងមុនសម្រាប់ទិន្នផលឧបករណ៍ខ្ពស់ជាងមុនក្នុងមួយបន្ទះ
ភាពស៊ីសង្វាក់គ្នា និងឯកសណ្ឋាននៃដំណើរការកាន់តែប្រសើរឡើង
កាត់បន្ថយថ្លៃដើមក្នុងមួយឧបករណ៍ក្នុងការផលិតបរិមាណច្រើន
កម្លាំងមេកានិចល្អឥតខ្ចោះសម្រាប់ការដោះស្រាយទំហំធំ
លក្ខណៈបច្ចេកទេសដែលអាចប្ដូរតាមបំណងបានសម្រាប់កម្មវិធីផ្សេងៗគ្នា

ជម្រើសប្ដូរតាមបំណង

យើងផ្តល់ជូននូវការប្ដូរតាមបំណងដែលអាចបត់បែនបានសម្រាប់បន្ទះ sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ រួមមាន៖

ទិសដៅគ្រីស្តាល់ (ប្លង់ C, ប្លង់ A, ប្លង់ R ជាដើម)
ការអត់ធ្មត់កម្រាស់ និងអង្កត់ផ្ចិត
ការប៉ូលាម្ខាង ឬទ្វេភាគី
ការរចនាទម្រង់គែម និង chamfer
តម្រូវការរដុបនៃផ្ទៃ និងផ្ទៃរាបស្មើ

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខណៈបច្ចេកទេស	កំណត់ចំណាំ
អង្កត់ផ្ចិតបន្ទះ	១២ អ៊ីញ (៣០០ ម.ម.)	បន្ទះបន្ទះទំហំធំស្តង់ដារ
សម្ភារៈ	ត្បូងកណ្តៀងគ្រីស្តាល់តែមួយ (Al₂O₃)	ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ថ្នាក់អេឡិចត្រូនិច/អុបទិក
ទិសដៅគ្រីស្តាល់	ប្លង់ C (០០០១), ប្លង់ A (១១-២០), ប្លង់ R (១-១០២)	ទិសដៅស្រេចចិត្តដែលអាចប្រើបាន
កម្រាស់	៤៣០–៥០០ មីក្រូម៉ែត្រ	កម្រាស់ផ្ទាល់ខ្លួនអាចរកបានតាមការស្នើសុំ
ភាពអត់ធ្មត់កម្រាស់	±១០ មីក្រូម៉ែត្រ	ការអត់ធ្មត់តឹងរ៉ឹងសម្រាប់ឧបករណ៍ទំនើបៗ
ការប្រែប្រួលកម្រាស់សរុប (TTV)	≤10 μm	ធានានូវដំណើរការឯកសណ្ឋាននៅទូទាំង wafer
ធ្នូ	≤50 μm	វាស់វែងលើបន្ទះសៀគ្វីទាំងមូល
កោង	≤50 μm	វាស់វែងលើបន្ទះសៀគ្វីទាំងមូល
ការបញ្ចប់ផ្ទៃ	ប៉ូលាម្ខាង (SSP) / ប៉ូលាពីរចំហៀង (DSP)	ផ្ទៃដែលមានគុណភាពខ្ពស់អុបទិក
ភាពរដុបនៃផ្ទៃ (Ra)	≤0.5 nm (ប៉ូលា)	ភាពរលោងកម្រិតអាតូមសម្រាប់ការលូតលាស់ epitaxial
ទម្រង់គែម	គែមកោង / គែមមូល	ដើម្បីការពារការប្រេះស្រាំក្នុងពេលដោះស្រាយ
ភាពត្រឹមត្រូវនៃការតំរង់ទិស	±0.5°	ធានានូវការលូតលាស់ស្រទាប់ epitaxial ត្រឹមត្រូវ
ដង់ស៊ីតេកំហុស	<១០ សង់ទីម៉ែត្រ⁻²	វាស់វែងដោយការត្រួតពិនិត្យអុបទិក
ភាពរាបស្មើ	≤2 μm / 100 mm	ធានានូវលីតូក្រាហ្វីឯកសណ្ឋាន និងការលូតលាស់អេពីតាក់ស៊ី
ភាពស្អាតស្អំ	ថ្នាក់ទី 100 – ថ្នាក់ទី 1000	ឆបគ្នាជាមួយបន្ទប់ស្អាត
ការបញ្ជូនអុបទិក	>85% (កាំរស្មីយូវី–អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ)	អាស្រ័យលើរលកប្រវែង និងកម្រាស់

សំណួរដែលសួរញឹកញាប់អំពីបន្ទះ Sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញ

សំណួរទី 1: តើកម្រាស់ស្តង់ដារនៃបន្ទះ sapphire ទំហំ 12 អ៊ីញគឺជាអ្វី?
ក: កម្រាស់ស្តង់ដារមានចាប់ពី ៤៣០ μm ដល់ ៥០០ μm។ កម្រាស់ផ្ទាល់ខ្លួនក៏អាចត្រូវបានផលិតតាមតម្រូវការរបស់អតិថិជនផងដែរ។

សំណួរទី 2: តើមានទិសដៅគ្រីស្តាល់អ្វីខ្លះដែលអាចប្រើបានសម្រាប់បន្ទះគ្រីស្តាល់ត្បូងកណ្តៀងទំហំ 12 អ៊ីញ?
ក: យើងខ្ញុំផ្តល់ជូននូវទិសដៅប្លង់ C (0001), ប្លង់ A (11-20) និងប្លង់ R (1-102)។ ទិសដៅផ្សេងទៀតអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងដោយផ្អែកលើតម្រូវការឧបករណ៍ជាក់លាក់។

សំណួរទី 3: តើការប្រែប្រួលកម្រាស់សរុប (TTV) នៃបន្ទះ wafer គឺជាអ្វី?
ក: បន្ទះសូហ្វីយ៉ាទំហំ 12 អ៊ីញរបស់យើងជាធម្មតាមាន TTV ≤10 μm ដែលធានាបាននូវឯកសណ្ឋានទូទាំងផ្ទៃបន្ទះសូហ្វីយ៉ាសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍ដែលមានគុណភាពខ្ពស់។

អំពីយើង

ក្រុមហ៊ុន XKH មានជំនាញក្នុងការអភិវឌ្ឍ ការផលិត និងការលក់កញ្ចក់អុបទិកពិសេស និងសម្ភារៈគ្រីស្តាល់ថ្មីៗដែលមានបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់។ ផលិតផលរបស់យើងបម្រើដល់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចអុបទិក គ្រឿងអេឡិចត្រូនិចប្រើប្រាស់ និងយោធា។ យើងផ្តល់ជូននូវគ្រឿងបន្លាស់អុបទិក Sapphire គម្របកញ្ចក់ទូរស័ព្ទចល័ត សេរ៉ាមិច LT ស៊ីលីកុនកាបៃ SIC ឃ្វាត និងបន្ទះគ្រីស្តាល់ semiconductor។ ដោយមានជំនាញ និងឧបករណ៍ទំនើបៗ យើងមានឧត្តមភាពក្នុងការកែច្នៃផលិតផលមិនស្តង់ដារ ដោយមានគោលបំណងក្លាយជាសហគ្រាសបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ផ្នែកសម្ភារៈអុបទិកអេឡិចត្រូនិចឈានមុខគេ។