បន្ទះស៊ីអ៊ីតពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ (HPSI) ទំហំ 3 អ៊ីញ ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ 350um ថ្នាក់ក្លែងក្លាយ ថ្នាក់ Prime
ពាក្យសុំ
បន្ទះសៀគ្វី SiC HPSI គឺជាស្នូលដ៏សំខាន់ក្នុងការធ្វើឱ្យឧបករណ៍ថាមពលជំនាន់ក្រោយអាចប្រើប្រាស់បានក្នុងកម្មវិធីដែលមានដំណើរការខ្ពស់ជាច្រើនប្រភេទ៖
ប្រព័ន្ធបំលែងថាមពល៖ បន្ទះ SiC បម្រើជាសម្ភារៈស្នូលសម្រាប់ឧបករណ៍ថាមពលដូចជា MOSFETs ថាមពល ឌីយ៉ូដ និង IGBTs ដែលមានសារៈសំខាន់សម្រាប់ការបំលែងថាមពលប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពនៅក្នុងសៀគ្វីអគ្គិសនី។ សមាសធាតុទាំងនេះត្រូវបានរកឃើញនៅក្នុងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ដ្រាយម៉ូទ័រ និងអាំងវឺរទ័រឧស្សាហកម្ម។
យានយន្តអគ្គិសនី (EVs)៖តម្រូវការកាន់តែកើនឡើងសម្រាប់យានយន្តអគ្គិសនីតម្រូវឱ្យមានការប្រើប្រាស់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកថាមពលដែលមានប្រសិទ្ធភាពជាងមុន ហើយបន្ទះសៀគ្វី SiC គឺជាផ្នែកមួយនៃការផ្លាស់ប្តូរនេះ។ នៅក្នុងប្រព័ន្ធថាមពលរថយន្តអគ្គិសនី បន្ទះសៀគ្វីទាំងនេះផ្តល់នូវប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ និងសមត្ថភាពប្តូរលឿន ដែលរួមចំណែកដល់ពេលវេលាសាកលឿនជាងមុន ចម្ងាយបើកបរយូរជាងមុន និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពយានយន្តទាំងមូល។
ថាមពលកកើតឡើងវិញ៖នៅក្នុងប្រព័ន្ធថាមពលកកើតឡើងវិញដូចជាថាមពលព្រះអាទិត្យ និងថាមពលខ្យល់ បន្ទះ SiC ត្រូវបានប្រើប្រាស់នៅក្នុងឧបករណ៍បម្លែង និងឧបករណ៍បម្លែងដែលអាចឱ្យមានការចាប់យក និងចែកចាយថាមពលកាន់តែមានប្រសិទ្ធភាព។ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ និងវ៉ុលបំបែកខ្ពស់នៃ SiC ធានាថាប្រព័ន្ធទាំងនេះដំណើរការប្រកបដោយភាពជឿជាក់ សូម្បីតែក្រោមលក្ខខណ្ឌបរិស្ថានធ្ងន់ធ្ងរក៏ដោយ។
ស្វ័យប្រវត្តិកម្មឧស្សាហកម្ម និងមនុស្សយន្ត៖ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចថាមពលដែលមានដំណើរការខ្ពស់នៅក្នុងប្រព័ន្ធស្វ័យប្រវត្តិកម្មឧស្សាហកម្ម និងមនុស្សយន្តតម្រូវឱ្យមានឧបករណ៍ដែលមានសមត្ថភាពប្តូរបានយ៉ាងរហ័ស ដោះស្រាយបន្ទុកថាមពលធំ និងដំណើរការក្រោមភាពតានតឹងខ្ពស់។ ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានមូលដ្ឋានលើ SiC បំពេញតាមតម្រូវការទាំងនេះដោយផ្តល់នូវប្រសិទ្ធភាព និងភាពរឹងមាំខ្ពស់ សូម្បីតែនៅក្នុងបរិយាកាសប្រតិបត្តិការដ៏លំបាកក៏ដោយ។
ប្រព័ន្ធទូរគមនាគមន៍៖នៅក្នុងហេដ្ឋារចនាសម្ព័ន្ធទូរគមនាគមន៍ ជាកន្លែងដែលភាពជឿជាក់ខ្ពស់ និងការបំលែងថាមពលប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពមានសារៈសំខាន់ បន្ទះ SiC ត្រូវបានប្រើប្រាស់ក្នុងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល និងឧបករណ៍បំលែង DC-DC។ ឧបករណ៍ SiC ជួយកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពល និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពប្រព័ន្ធនៅក្នុងមជ្ឈមណ្ឌលទិន្នន័យ និងបណ្តាញទំនាក់ទំនង។
តាមរយៈការផ្តល់មូលដ្ឋានគ្រឹះដ៏រឹងមាំសម្រាប់កម្មវិធីថាមពលខ្ពស់ បន្ទះសៀគ្វី SiC HPSI អាចឱ្យមានការអភិវឌ្ឍឧបករណ៍ដែលមានប្រសិទ្ធភាពថាមពល ដែលជួយឧស្សាហកម្មផ្លាស់ប្តូរទៅរកដំណោះស្រាយបៃតង និងមាននិរន្តរភាពជាងមុន។
លក្ខណៈសម្បត្តិ
| ប្រតិបត្តិការ | ថ្នាក់ផលិតកម្ម | ថ្នាក់ស្រាវជ្រាវ | ថ្នាក់ក្លែងក្លាយ |
| អង្កត់ផ្ចិត | ៧៥.០ ម.ម ± ០.៥ ម.ម | ៧៥.០ ម.ម ± ០.៥ ម.ម | ៧៥.០ ម.ម ± ០.៥ ម.ម |
| កម្រាស់ | ៣៥០ មីក្រូម៉ែត្រ ± ២៥ មីក្រូម៉ែត្រ | ៣៥០ មីក្រូម៉ែត្រ ± ២៥ មីក្រូម៉ែត្រ | ៣៥០ មីក្រូម៉ែត្រ ± ២៥ មីក្រូម៉ែត្រ |
| ការតំរង់ទិសបន្ទះ | នៅលើអ័ក្ស៖ <0001> ± 0.5° | នៅលើអ័ក្ស៖ <0001> ± 2.0° | នៅលើអ័ក្ស៖ <0001> ± 2.0° |
| ដង់ស៊ីតេមីក្រូភីបសម្រាប់ 95% នៃវ៉ាហ្វឺរ (MPD) | ≤ 1 សង់ទីម៉ែត្រ⁻² | ≤ 5 សង់ទីម៉ែត្រ⁻² | ≤ ១៥ សង់ទីម៉ែត្រ² |
| ភាពធន់អគ្គិសនី | ≥ 1E7 Ω·សង់ទីម៉ែត្រ | ≥ 1E6 Ω·សង់ទីម៉ែត្រ | ≥ 1E5 Ω·សង់ទីម៉ែត្រ |
| សារធាតុបន្ថែម | គ្មានសារធាតុញៀន | គ្មានសារធាតុញៀន | គ្មានសារធាតុញៀន |
| ទិសដៅសំប៉ែតចម្បង | {១១-២០} ± ៥.០° | {១១-២០} ± ៥.០° | {១១-២០} ± ៥.០° |
| ប្រវែងសំប៉ែតបឋម | ៣២.៥ ម.ម ± ៣.០ ម.ម | ៣២.៥ ម.ម ± ៣.០ ម.ម | ៣២.៥ ម.ម ± ៣.០ ម.ម |
| ប្រវែងរាបស្មើបន្ទាប់បន្សំ | ១៨.០ ម.ម ± ២.០ ម.ម | ១៨.០ ម.ម ± ២.០ ម.ម | ១៨.០ ម.ម ± ២.០ ម.ម |
| ទិសដៅរាបស្មើបន្ទាប់បន្សំ | បែរមុខ Si ឡើងលើ៖ 90° CW ពីផ្ទៃរាបស្មើបឋម ± 5.0° | បែរមុខ Si ឡើងលើ៖ 90° CW ពីផ្ទៃរាបស្មើបឋម ± 5.0° | បែរមុខ Si ឡើងលើ៖ 90° CW ពីផ្ទៃរាបស្មើបឋម ± 5.0° |
| ការដកចេញគែម | ៣ ម.ម. | ៣ ម.ម. | ៣ ម.ម. |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm |
| ភាពរដុបនៃផ្ទៃ | មុខរាងអក្សរ C៖ ប៉ូលា, មុខរាងអក្សរ Si៖ CMP | មុខរាងអក្សរ C៖ ប៉ូលា, មុខរាងអក្សរ Si៖ CMP | មុខរាងអក្សរ C៖ ប៉ូលា, មុខរាងអក្សរ Si៖ CMP |
| ស្នាមប្រេះ (ត្រួតពិនិត្យដោយពន្លឺដែលមានអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់) | គ្មាន | គ្មាន | គ្មាន |
| បន្ទះឆកោន (ត្រួតពិនិត្យដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់) | គ្មាន | គ្មាន | ផ្ទៃដីសរុប ១០% |
| តំបន់ពហុប្រភេទ (ត្រួតពិនិត្យដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់) | ផ្ទៃដីសរុប ៥% | ផ្ទៃដីសរុប ៥% | ផ្ទៃដីសរុប ១០% |
| ស្នាមឆ្កូត (ត្រួតពិនិត្យដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់) | ស្នាមឆ្កូត ≤ 5, ប្រវែងសរុប ≤ 150 ម.ម | ស្នាមឆ្កូត ≤ ១០, ប្រវែងសរុប ≤ ២០០ ម.ម | ស្នាមឆ្កូត ≤ ១០, ប្រវែងសរុប ≤ ២០០ ម.ម |
| ការកាត់គែម | គ្មានអ្វីត្រូវបានអនុញ្ញាតទេ ≥ 0.5 ម.ម ទទឹង និងជម្រៅ | អនុញ្ញាត 2, ទទឹង និងជម្រៅ ≤ 1 ម.ម | អនុញ្ញាត 5, ទទឹង និងជម្រៅ ≤ 5 ម.ម |
| ការចម្លងរោគលើផ្ទៃ (ត្រួតពិនិត្យដោយពន្លឺដែលមានអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់) | គ្មាន | គ្មាន | គ្មាន |
គុណសម្បត្តិសំខាន់ៗ
ដំណើរការកម្ដៅដ៏អស្ចារ្យ៖ ចរន្តកម្ដៅខ្ពស់របស់ SiC ធានានូវការរលាយកម្ដៅប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពនៅក្នុងឧបករណ៍ថាមពល ដែលអនុញ្ញាតឱ្យពួកវាដំណើរការនៅកម្រិតថាមពល និងប្រេកង់ខ្ពស់ជាងដោយមិនឡើងកម្ដៅខ្លាំងពេក។ នេះប្រែក្លាយទៅជាប្រព័ន្ធតូចជាងមុន មានប្រសិទ្ធភាពជាងមុន និងអាយុកាលប្រតិបត្តិការយូរជាងមុន។
វ៉ុលបំបែកខ្ពស់៖ ជាមួយនឹង bandgap ធំជាងបើប្រៀបធៀបទៅនឹងស៊ីលីកុន បន្ទះ SiC គាំទ្រកម្មវិធីវ៉ុលខ្ពស់ ដែលធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់សមាសធាតុអេឡិចត្រូនិចថាមពលដែលត្រូវការទប់ទល់នឹងវ៉ុលបំបែកខ្ពស់ ដូចជានៅក្នុងយានយន្តអគ្គិសនី ប្រព័ន្ធថាមពលក្រឡាចត្រង្គ និងប្រព័ន្ធថាមពលកកើតឡើងវិញ។
ការបាត់បង់ថាមពលថយចុះ៖ ភាពធន់ទាបនៃការបើក និងល្បឿនប្តូរលឿននៃឧបករណ៍ SiC បណ្តាលឱ្យមានការថយចុះនៃការបាត់បង់ថាមពលក្នុងអំឡុងពេលប្រតិបត្តិការ។ នេះមិនត្រឹមតែធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែវាថែមទាំងបង្កើនការសន្សំសំចៃថាមពលទាំងមូលនៃប្រព័ន្ធដែលពួកវាត្រូវបានដាក់ពង្រាយផងដែរ។
ភាពជឿជាក់ប្រសើរឡើងនៅក្នុងបរិស្ថានដ៏អាក្រក់៖ លក្ខណៈសម្បត្តិសម្ភារៈរឹងមាំរបស់ SiC អនុញ្ញាតឱ្យវាដំណើរការក្នុងស្ថានភាពធ្ងន់ធ្ងរ ដូចជាសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ (រហូតដល់ 600°C) វ៉ុលខ្ពស់ និងប្រេកង់ខ្ពស់។ នេះធ្វើឱ្យបន្ទះ SiC សមស្របសម្រាប់កម្មវិធីឧស្សាហកម្ម រថយន្ត និងថាមពលដែលមានតម្រូវការខ្ពស់។
ប្រសិទ្ធភាពថាមពល៖ ឧបករណ៍ SiC ផ្តល់នូវដង់ស៊ីតេថាមពលខ្ពស់ជាងឧបករណ៍ដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុនប្រពៃណី ដែលកាត់បន្ថយទំហំ និងទម្ងន់នៃប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិចថាមពល ខណៈពេលដែលធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពរួមរបស់វា។ នេះនាំឱ្យមានការសន្សំសំចៃថ្លៃដើម និងផលប៉ះពាល់បរិស្ថានតូចជាងមុននៅក្នុងកម្មវិធីដូចជាថាមពលកកើតឡើងវិញ និងយានយន្តអគ្គិសនី។
សមត្ថភាពធ្វើមាត្រដ្ឋាន៖ អង្កត់ផ្ចិត 3 អ៊ីញ និងការអត់ធ្មត់ផលិតកម្មដ៏ច្បាស់លាស់នៃបន្ទះសៀគ្វី SiC HPSI ធានាថាវាអាចធ្វើមាត្រដ្ឋានបានសម្រាប់ផលិតកម្មទ្រង់ទ្រាយធំ ដែលបំពេញតាមតម្រូវការស្រាវជ្រាវ និងផលិតកម្មពាណិជ្ជកម្ម។
សេចក្តីសន្និដ្ឋាន
បន្ទះស៊ីម៉ងត៍ HPSI SiC ដែលមានអង្កត់ផ្ចិត 3 អ៊ីញ និងកម្រាស់ 350 µm ± 25 µm គឺជាវត្ថុធាតុដើមដ៏ល្អបំផុតសម្រាប់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចថាមពលជំនាន់ក្រោយដែលមានដំណើរការខ្ពស់។ ការរួមបញ្ចូលគ្នាតែមួយគត់របស់វានៃចរន្តកំដៅ វ៉ុលបំបែកខ្ពស់ ការបាត់បង់ថាមពលទាប និងភាពជឿជាក់ក្រោមលក្ខខណ្ឌធ្ងន់ធ្ងរធ្វើឱ្យវាក្លាយជាសមាសធាតុសំខាន់សម្រាប់កម្មវិធីផ្សេងៗក្នុងការបំលែងថាមពល ថាមពលកកើតឡើងវិញ យានយន្តអគ្គិសនី ប្រព័ន្ធឧស្សាហកម្ម និងទូរគមនាគមន៍។
បន្ទះសៀគ្វី SiC នេះស័ក្តិសមជាពិសេសសម្រាប់ឧស្សាហកម្មដែលកំពុងស្វែងរកការសម្រេចបានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ការសន្សំសំចៃថាមពលកាន់តែច្រើន និងភាពជឿជាក់នៃប្រព័ន្ធកាន់តែប្រសើរ។ នៅពេលដែលបច្ចេកវិទ្យាអេឡិចត្រូនិចថាមពលបន្តវិវត្ត បន្ទះសៀគ្វី SiC HPSI ផ្តល់នូវមូលដ្ឋានគ្រឹះសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍដំណោះស្រាយជំនាន់ក្រោយដែលមានប្រសិទ្ធភាពថាមពល ដែលជំរុញការផ្លាស់ប្តូរទៅរកអនាគតដែលមាននិរន្តរភាពជាងមុន និងកាបូនទាប។
ដ្យាក្រាមលម្អិត
