វិធីសាស្ត្រ KY បំពង់ Sapphire

ការពិពណ៌នាខ្លី៖

បំពង់ Sapphire គឺជាសមាសធាតុដែលត្រូវបានរចនាឡើងយ៉ាងជាក់លាក់ដែលផលិតពីអុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូមគ្រីស្តាល់តែមួយ (Al₂O₃)ជាមួយនឹងភាពបរិសុទ្ធលើសពី 99.99%។ ក្នុងនាមជាវត្ថុធាតុមួយក្នុងចំណោមវត្ថុធាតុដែលរឹងបំផុត និងមានស្ថេរភាពគីមីបំផុតនៅក្នុងពិភពលោក ត្បូងកណ្តៀងផ្តល់នូវការរួមបញ្ចូលគ្នាដ៏ពិសេសមួយរបស់តម្លាភាពអុបទិក ភាពធន់នឹងកម្ដៅ និងកម្លាំងមេកានិចបំពង់ទាំងនេះត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងប្រព័ន្ធអុបទិក ដំណើរការស៊ីមីកុងដុកទ័រ ការវិភាគគីមី ឡដុតសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រដែលជាកន្លែងដែលភាពធន់ និងភាពច្បាស់លាស់ខ្លាំងគឺមានសារៈសំខាន់។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

លក្ខណៈពិសេស

ដ្យាក្រាមលម្អិត

ទិដ្ឋភាពទូទៅ

មិនដូចកញ្ចក់ ឬរ៉ែថ្មខៀវធម្មតាទេ បំពង់ត្បូងកណ្តៀងនៅតែរក្សាបាននូវភាពសុចរិតនៃរចនាសម្ព័ន្ធ និងលក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិករបស់វាសូម្បីតែនៅក្រោមបរិយាកាសសម្ពាធខ្ពស់ សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងច្រេះដែលធ្វើឱ្យពួកគេក្លាយជាជម្រើសដែលពេញចិត្តសម្រាប់កម្មវិធីដ៏លំបាក ឬកម្មវិធីដែលផ្តោតលើភាពជាក់លាក់.

ដំណើរការផលិត

បំពង់ Sapphire ជាធម្មតាត្រូវបានផលិតដោយប្រើKY (Kyropoulos), EFG (Edge-defined Film-fed Growth), ឬ CZ (Czochralski)វិធីសាស្ត្រលូតលាស់គ្រីស្តាល់។ ដំណើរការនេះចាប់ផ្តើមជាមួយនឹងការរលាយដែលគ្រប់គ្រងដោយអាលុយមីណាដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់នៅសីតុណ្ហភាពលើសពី 2000°C បន្ទាប់មកដោយការគ្រីស្តាល់យឺតៗ និងឯកសណ្ឋាននៃត្បូងកណ្តៀងទៅជារាងស៊ីឡាំង។

បន្ទាប់ពីការលូតលាស់ បំពង់ទាំងនោះឆ្លងកាត់ការកែច្នៃដោយភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ដោយ CNC ការប៉ូលាខាងក្នុង/ខាងក្រៅ និងការក្រិតតាមខ្នាត, ធានាតម្លាភាពកម្រិតអុបទិក ភាពមូលខ្ពស់ និងការអត់ធ្មត់តឹងតែង.

បំពង់ត្បូងកណ្តៀងដែលដាំដោយ EFG គឺស័ក្តិសមជាពិសេសសម្រាប់រាងធរណីមាត្រវែង និងស្តើង ខណៈបំពង់ដែលដាំដោយ KY ផ្តល់នូវគុណភាពខ្ពស់សម្រាប់កម្មវិធីអុបទិក និងធន់នឹងសម្ពាធ។

លក្ខណៈពិសេស និងគុណសម្បត្តិសំខាន់ៗ

ភាពរឹងខ្លាំង៖ភាពរឹងរបស់ Mohs គឺ 9 ទីពីរបន្ទាប់ពីពេជ្រ ដែលផ្តល់នូវភាពធន់នឹងការឆ្កូត និងការពាក់ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។
ជួរបញ្ជូនធំទូលាយ៖ថ្លាពីអ៊ុលត្រាវីយូឡេ (200 nm) to អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ (5 μm)ដ៏ល្អសម្រាប់ប្រព័ន្ធចាប់សញ្ញាអុបទិក និងវិសាលគម។
ស្ថេរភាពកម្ដៅ៖ទប់ទល់នឹងសីតុណ្ហភាពរហូតដល់២០០០អង្សាសេនៅក្នុងបរិយាកាសសុញ្ញកាស ឬបរិយាកាសអសកម្ម។
ភាពអសកម្មគីមី៖ធន់នឹងអាស៊ីត អាល់កាឡាំង និងសារធាតុគីមីច្រេះភាគច្រើន។
កម្លាំងមេកានិច៖កម្លាំងបង្ហាប់ និងកម្លាំងទាញពិសេស ស័ក្តិសមសម្រាប់បំពង់សម្ពាធ និងបង្អួចការពារ។
ធរណីមាត្រភាពជាក់លាក់៖ការផ្តោតអារម្មណ៍ខ្ពស់ និងជញ្ជាំងខាងក្នុងរលោង កាត់បន្ថយការបង្ខូចទ្រង់ទ្រាយអុបទិក និងភាពធន់នឹងលំហូរ។

កម្មវិធីធម្មតា

ស្រោមការពារអុបទិកសម្រាប់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា ឧបករណ៍រាវរក និងប្រព័ន្ធឡាស៊ែរ
បំពង់ឡចំហាយសីតុណ្ហភាពខ្ពស់សម្រាប់ដំណើរការពាក់កណ្តាលចរន្តអគ្គិសនី និងសម្ភារៈ
រន្ធមើល និងវ៉ែនតាការពារនៅក្នុងបរិស្ថានដ៏អាក្រក់ ឬច្រេះ
ការវាស់លំហូរ និងសម្ពាធក្រោមលក្ខខណ្ឌធ្ងន់ធ្ងរ
ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ និងឧបករណ៍វិភាគតម្រូវឱ្យមានភាពបរិសុទ្ធអុបទិកខ្ពស់
ស្រោមចង្កៀង និងស្រោមឡាស៊ែរកន្លែងដែលទាំងតម្លាភាព និងភាពធន់មានសារៈសំខាន់ណាស់

លក្ខណៈបច្ចេកទេស (ធម្មតា)

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	តម្លៃធម្មតា
សម្ភារៈ	គ្រីស្តាល់តែមួយ Al₂O₃ (ត្បូងកណ្តៀង)
ភាពបរិសុទ្ធ	≥ 99.99%
អង្កត់ផ្ចិតខាងក្រៅ	០.៥ ម.ម – ២០០ ម.ម
អង្កត់ផ្ចិតខាងក្នុង	០,២ ម.ម – ១៨០ ម.ម
ប្រវែង	រហូតដល់ 1200 មីលីម៉ែត្រ
ជួរបញ្ជូន	២០០–៥០០០ ណាណូម៉ែត្រ
សីតុណ្ហភាពការងារ	រហូតដល់ 2000°C (ឧស្ម័នសុញ្ញកាស/ឧស្ម័នអសកម្ម)
ភាពរឹង	៩ នៅលើមាត្រដ្ឋាន Mohs

សំណួរដែលសួរញឹកញាប់

សំណួរទី 1: តើអ្វីជាភាពខុសគ្នារវាងបំពង់ត្បូងកណ្តៀង និងបំពង់ត្បូងក្វាតស៍?
ក៖ បំពង់ត្បូងកណ្តៀងមានភាពរឹងខ្ពស់ ភាពធន់នឹងសីតុណ្ហភាព និងភាពធន់ខាងគីមីខ្ពស់ជាង។ ត្បូងឃ្វាតងាយស្រួលកែច្នៃ ប៉ុន្តែមិនអាចផ្គូផ្គងនឹងដំណើរការអុបទិក និងមេកានិចរបស់ត្បូងកណ្តៀងក្នុងបរិស្ថានធ្ងន់ធ្ងរនោះទេ។

សំណួរទី 2: តើបំពង់ត្បូងកណ្តៀងអាចត្រូវបានកែច្នៃតាមតម្រូវការបានទេ?
ក: បាទ/ចាស៎។ វិមាត្រ កម្រាស់ជញ្ជាំង ធរណីមាត្រចុង និងការប៉ូលាអុបទិក ទាំងអស់អាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងដោយផ្អែកលើតម្រូវការរបស់អតិថិជន។

សំណួរទី 3: តើវិធីសាស្ត្រលូតលាស់គ្រីស្តាល់អ្វីដែលត្រូវបានប្រើសម្រាប់ផលិតកម្ម?
ក: យើងផ្តល់ជូនទាំងពីរដាំដុះនៅ KYនិងដាំដុះដោយ EFGបំពង់ត្បូងកណ្តៀង អាស្រ័យលើទំហំ និងតម្រូវការនៃការប្រើប្រាស់។

អំពីយើង

ក្រុមហ៊ុន XKH មានជំនាញក្នុងការអភិវឌ្ឍ ការផលិត និងការលក់កញ្ចក់អុបទិកពិសេស និងសម្ភារៈគ្រីស្តាល់ថ្មីៗដែលមានបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់។ ផលិតផលរបស់យើងបម្រើដល់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចអុបទិក គ្រឿងអេឡិចត្រូនិចប្រើប្រាស់ និងយោធា។ យើងផ្តល់ជូននូវគ្រឿងបន្លាស់អុបទិក Sapphire គម្របកញ្ចក់ទូរស័ព្ទចល័ត សេរ៉ាមិច LT ស៊ីលីកុនកាបៃ SIC ឃ្វាត និងបន្ទះគ្រីស្តាល់ semiconductor។ ដោយមានជំនាញ និងឧបករណ៍ទំនើបៗ យើងមានឧត្តមភាពក្នុងការកែច្នៃផលិតផលមិនស្តង់ដារ ដោយមានគោលបំណងក្លាយជាសហគ្រាសបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ផ្នែកសម្ភារៈអុបទិកអេឡិចត្រូនិចឈានមុខគេ។