2inch Silicon Carbide Wafer 6H-N Type Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm កម្រាស់ 430μm

2inch Silicon Carbide Wafer 6H-N Type Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm កម្រាស់ពិសេស រូបភាព

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

មាន polymorphs ផ្សេងគ្នាជាច្រើននៃ silicon carbide និង 6H silicon carbide គឺជាផ្នែកមួយនៃ polymorphs ជិត 200 ។ 6H silicon carbide គឺរហូតមកដល់ពេលនេះការកែប្រែដែលកើតឡើងញឹកញាប់បំផុតនៃស៊ីលីកូន carbides សម្រាប់ផលប្រយោជន៍ពាណិជ្ជកម្ម។ 6H silicon carbide wafers គឺមានសារៈសំខាន់បំផុត។ ពួកគេអាចត្រូវបានប្រើជា semiconductors ។ វាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧបករណ៍សម្រាប់កាត់ និងកាត់ដូចជា ឌីសកាត់ ដោយសារភាពធន់របស់វា និងតម្លៃទាបនៃសម្ភារៈ។ វាត្រូវបានគេប្រើក្នុងគ្រឿងពាសដែកផ្សំទំនើប និងអាវកាក់ការពារគ្រាប់កាំភ្លើង។ វាត្រូវបានគេប្រើផងដែរនៅក្នុងឧស្សាហកម្មរថយន្តដែលជាកន្លែងដែលវាត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិតថាសហ្វ្រាំង។ នៅក្នុងកម្មវិធីគ្រឹះដ៏ធំ វាត្រូវបានគេប្រើដើម្បីផ្ទុកលោហៈរលាយនៅក្នុង Crucibles ។ ការប្រើប្រាស់របស់វានៅក្នុងកម្មវិធីអគ្គិសនី និងអេឡិចត្រូនិកត្រូវបានគេស្គាល់យ៉ាងច្បាស់ថាវាមិនតម្រូវឱ្យមានការជជែកវែកញែកណាមួយឡើយ។ លើសពីនេះទៅទៀត វាត្រូវបានគេប្រើនៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចថាមពល អំពូល LED តារាវិទ្យា សរសៃស្តើង សរសៃដែក គ្រឿងអលង្ការ ក្រាហ្វីន និងការផលិតដែក និងជាកាតាលីករ។ យើងកំពុងផ្តល់ជូន 6H silicon carbide wafers ជាមួយនឹងគុណភាពប្លែក និងអស្ចារ្យ 99.99% ។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

ខាងក្រោមនេះជាលក្ខណៈពិសេសរបស់ស៊ីលីកុនកាបៃ wafer ៖

1.Silicon carbide (SiC) wafer មានលក្ខណៈសម្បត្តិអគ្គិសនីដ៏អស្ចារ្យ និងលក្ខណៈសម្បត្តិកម្ដៅដ៏ល្អ។ Silicon carbide (SiC) wafer មានការពង្រីកកំដៅទាប។

2.Silicon carbide (SiC) wafer មានលក្ខណៈសម្បត្តិរឹងល្អជាង។ Silicon carbide (SiC) wafer ដំណើរការបានល្អនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

3.Silicon carbide (SiC) wafer មានភាពធន់ទ្រាំខ្ពស់ក្នុងការ corrosion សំណឹក និងអុកស៊ីតកម្ម។ បន្ថែមពីលើនេះ ស៊ីលីកុន កាបូអ៊ីដ (SiC) wafer ក៏ភ្លឺជាងពេជ្រ ឬ zirconia គូប។

4. ធន់នឹងវិទ្យុសកម្មកាន់តែប្រសើរ៖ SIC wafers មានភាពធន់ទ្រាំនឹងវិទ្យុសកម្មខ្លាំងជាង ដែលធ្វើឱ្យវាស័ក្តិសមសម្រាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងបរិយាកាសវិទ្យុសកម្ម។ ឧទាហរណ៍រួមមាន យានអវកាស និងកន្លែងនុយក្លេអ៊ែរ។
5.Higher hardness: SIC wafers គឺរឹងជាង silicon ដែលជួយបង្កើនភាពធន់នៃ wafers កំឡុងពេលដំណើរការ។

6.Lower dielectric constant: ថេរ dielectric នៃ SIC wafers គឺទាបជាង silicon ដែលជួយកាត់បន្ថយសមត្ថភាពប៉ារ៉ាស៊ីតនៅក្នុងឧបករណ៍ និងធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវដំណើរការប្រេកង់ខ្ពស់។

Silicon carbide wafer មានកម្មវិធីជាច្រើន។

SiC ត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍តង់ស្យុងខ្ពស់និងថាមពលខ្ពស់ដូចជា diodes, power transistor និងឧបករណ៍ microwave ថាមពលខ្ពស់។ បើប្រៀបធៀបទៅនឹងឧបករណ៍ Si-ធម្មតា ឧបករណ៍ថាមពលដែលមានមូលដ្ឋានលើ SiC មានល្បឿនប្តូរលឿនជាង តង់ស្យុងខ្ពស់ ធន់នឹងប៉ារ៉ាស៊ីតទាប ទំហំតូចជាង ត្រូវការភាពត្រជាក់តិច ដោយសារសមត្ថភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។
ខណៈពេលដែលស៊ីលីកុន carbide (SiC-6H) - 6H wafer មានលក្ខណៈសម្បត្តិអេឡិចត្រូនិល្អជាង, silicon carbide (SiC-6H) – 6H wafer ត្រូវបានរៀបចំយ៉ាងងាយស្រួលបំផុតនិងបានសិក្សាល្អបំផុត។
1.Power Electronics: Silicon Carbide Wafers ត្រូវបានប្រើប្រាស់ក្នុងការផលិត Power Electronics ដែលត្រូវបានប្រើប្រាស់ក្នុងកម្មវិធីជាច្រើន រួមទាំងរថយន្តអគ្គិសនី ប្រព័ន្ធថាមពលកកើតឡើងវិញ និងឧបករណ៍ឧស្សាហកម្ម។ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ និងការបាត់បង់ថាមពលទាបនៃ Silicon Carbide ធ្វើឱ្យវាក្លាយជាសម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់កម្មវិធីទាំងនេះ។
2.LED Lighting: Silicon Carbide Wafers ត្រូវបានប្រើក្នុងការផលិតអំពូល LED ។ កម្លាំងខ្ពស់នៃ Silicon Carbide ធ្វើឱ្យវាអាចផលិត LEDs ដែលប្រើប្រាស់បានយូរ និងប្រើប្រាស់បានយូរជាងប្រភពពន្លឺប្រពៃណី។
3.Semiconductor Devices: Silicon Carbide Wafers ត្រូវបានប្រើប្រាស់ក្នុងការផលិតឧបករណ៍ Semiconductor ដែលត្រូវបានប្រើក្នុងកម្មវិធីជាច្រើន រួមទាំងទូរគមនាគមន៍ កុំព្យូទ័រ និងគ្រឿងអេឡិចត្រូនិក។ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ និងការបាត់បង់ថាមពលទាបនៃ Silicon Carbide ធ្វើឱ្យវាក្លាយជាសម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់កម្មវិធីទាំងនេះ។
4.Solar Cells: Silicon Carbide Wafers ត្រូវបានប្រើប្រាស់ក្នុងការផលិតកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ។ កម្លាំងខ្ពស់នៃ Silicon Carbide ធ្វើឱ្យវាអាចផលិត Solar Cells ដែលធន់ និងប្រើប្រាស់បានយូរជាង Solar Cells ប្រពៃណី។
សរុបមក ZMSH Silicon Carbide Wafer គឺជាផលិតផលដែលមានសមត្ថភាព និងគុណភាពខ្ពស់ ដែលអាចប្រើប្រាស់បានយ៉ាងទូលំទូលាយ។ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ការបាត់បង់ថាមពលទាប និងកម្លាំងខ្ពស់ធ្វើឱ្យវាក្លាយជាសម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងថាមពលខ្ពស់។ ជាមួយនឹង Bow/Warp នៃ ≤50um, Surface Roughness of ≤1.2nm, និង Resistivity of High/Low Resistivity, Silicon Carbide Wafer គឺជាជម្រើសដែលអាចទុកចិត្តបាន និងមានប្រសិទ្ធភាពសម្រាប់កម្មវិធីណាមួយដែលត្រូវការផ្ទៃរាបស្មើ និងរលោង។
ផលិតផល SiC Substrate របស់យើងភ្ជាប់មកជាមួយការគាំទ្រផ្នែកបច្ចេកទេស និងសេវាកម្មដ៏ទូលំទូលាយ ដើម្បីធានាបាននូវការអនុវត្តដ៏ល្អប្រសើរ និងការពេញចិត្តរបស់អតិថិជន។
ក្រុមអ្នកជំនាញរបស់យើងអាចរកបានដើម្បីជួយក្នុងការជ្រើសរើសផលិតផល ការដំឡើង និងការដោះស្រាយបញ្ហា។
យើងផ្តល់ជូននូវការបណ្តុះបណ្តាល និងការអប់រំអំពីការប្រើប្រាស់ និងការថែទាំផលិតផលរបស់យើង ដើម្បីជួយអតិថិជនរបស់យើងបង្កើនការវិនិយោគរបស់ពួកគេ។
លើសពីនេះ យើងផ្តល់ជូននូវការអាប់ដេតផលិតផលជាបន្តបន្ទាប់ និងការកែលម្អ ដើម្បីធានាថាអតិថិជនរបស់យើងតែងតែទទួលបានការប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យាចុងក្រោយបំផុត។