ស៊ី.ស៊ី
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reeasearch production កម្រិត Dummy grade Dia150mm ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon carbide
-
4 អ៊ីង SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, and dummy grade
-
6 អ៊ីញ HPSI SiC wafer ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon Carbide wafers SiC ពាក់កណ្តាលប្រមាថ
-
4inch SiC wafers ពាក់កណ្តាលប្រមាថ HPSI SiC ស្រទាប់ខាងក្រោមថ្នាក់ទីផលិតកម្ម
-
3inch 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafers Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers
-
ស្រទាប់ខាងក្រោម 3inch Dia76.2mm SiC របស់ HPSI Prime Research និង Dummy grade
-
4H-Semi HPSI 2inch SiC substrate wafer Production Dummy Research grade
-
2អ៊ីញ SiC Wafers 6H ឬ 4H Semi-Insulating SiC Substrates Dia50.8mm
-
4H-N 8 inch SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research grade 500um thickness
-
8 អ៊ីញ 200mm Silicon Carbide SiC Wafers ប្រភេទ 4H-N កម្រិតផលិតកម្ម កម្រាស់ 500um
-
6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers ប្រភេទ 4H-N សម្រាប់ការស្រាវជ្រាវផលិតកម្ម MOS ឬ SBD និងថ្នាក់អត់ចេះសោះ
-
2អ៊ីញ Silicon Carbide Wafers 6H ឬ 4H N-type ឬ Semi-Insulating SiC Substrates