4 អ៊ីញ Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
កម្មវិធី
● ស្រទាប់ខាងក្រោមលូតលាស់សម្រាប់សមាសធាតុ III-V និង II-VI ។
● អេឡិចត្រូនិក និងអុបតូអេឡិចត្រូនិច។
● កម្មវិធី IR ។
● Silicon នៅលើ Sapphire Integrated Circuit (SOS) ។
● សៀគ្វីបញ្ចូលប្រេកង់វិទ្យុ (RFIC) ។
នៅក្នុងការផលិត LED, wafers ត្បូងកណ្តៀងត្រូវបានប្រើជាស្រទាប់ខាងក្រោមសម្រាប់ការរីកលូតលាស់នៃគ្រីស្តាល់ gallium nitride (GaN) ដែលបញ្ចេញពន្លឺនៅពេលដែលចរន្តអគ្គិសនីត្រូវបានអនុវត្ត។ត្បូងកណ្តៀងគឺជាសម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អសម្រាប់ការលូតលាស់របស់ GaN ដោយសារតែវាមានរចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ស្រដៀងគ្នា និងមេគុណការពង្រីកកម្ដៅទៅនឹង GaN ដែលកាត់បន្ថយពិការភាព និងកែលម្អគុណភាពគ្រីស្តាល់។
នៅក្នុងអុបទិក ក្រវិលត្បូងកណ្តៀងត្រូវបានប្រើជាបង្អួច និងកញ្ចក់នៅក្នុងបរិយាកាសដែលមានសម្ពាធខ្ពស់ និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ក៏ដូចជានៅក្នុងប្រព័ន្ធរូបភាពអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ដោយសារភាពថ្លានិងភាពរឹងខ្ពស់របស់វា។
ការបញ្ជាក់
| ធាតុ | 4-inch C-plane (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| សម្ភារៈគ្រីស្តាល់ | 99,999%, ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់, Monocrystalline Al2O3 | |
| ថ្នាក់ | Prime, Epi-Ready | |
| ការតំរង់ទិសផ្ទៃ | យន្តហោះ C (0001) | |
| C-plane off-angle ឆ្ពោះទៅអ័ក្ស M 0.2 +/- 0.1° | ||
| អង្កត់ផ្ចិត | 100.0 មម +/- 0.1 ម។ | |
| កម្រាស់ | 650 μm +/- 25 μm | |
| ការតំរង់ទិសផ្ទះល្វែងបឋម | យន្តហោះ A(11-20) +/- 0.2° | |
| ប្រវែងផ្ទះល្វែងបឋម | 30.0 មម +/- 1.0 ម។ | |
| ប៉ូលាចំហៀងតែមួយ | ផ្ទៃខាងមុខ | Epi-polished, Ra < 0.2 nm (ដោយ AFM) |
| (SSP) | ផ្ទៃខាងក្រោយ | ដីល្អ Ra = 0.8 μm ទៅ 1.2 μm |
| ប៉ូលាចំហៀងទ្វេ | ផ្ទៃខាងមុខ | Epi-polished, Ra < 0.2 nm (ដោយ AFM) |
| (DSP) | ផ្ទៃខាងក្រោយ | Epi-polished, Ra < 0.2 nm (ដោយ AFM) |
| ធីធីវី | < 20 μm | |
| ធ្នូ | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| ការសម្អាត / ការវេចខ្ចប់ | ថ្នាក់ទី 100 ការសម្អាតបន្ទប់ស្អាត និងការវេចខ្ចប់បូមធូលី, | |
| 25 បំណែកក្នុងមួយកញ្ចប់ ឬការវេចខ្ចប់ដុំតែមួយ។ | ||
ការវេចខ្ចប់ និងដឹកជញ្ជូន
និយាយជាទូទៅ យើងផ្តល់កញ្ចប់ដោយប្រអប់ 25pcs;យើងក៏អាចខ្ចប់ដោយធុង wafer តែមួយនៅក្រោមបន្ទប់សំអាតថ្នាក់ទី 100 តាមតម្រូវការរបស់អតិថិជន។
ដ្យាក្រាមលម្អិត
