4H-N 8 inch SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research grade 500um thickness
តើអ្នកជ្រើសរើស Silicon Carbide Wafers & SiC ដោយរបៀបណា?
នៅពេលជ្រើសរើស wafers និងស្រទាប់ខាងក្រោម silicon carbide (SiC) មានកត្តាជាច្រើនដែលត្រូវពិចារណា។ នេះគឺជាលក្ខណៈវិនិច្ឆ័យសំខាន់ៗមួយចំនួន៖
ប្រភេទសម្ភារៈ៖ កំណត់ប្រភេទសម្ភារៈ SiC ដែលសាកសមនឹងកម្មវិធីរបស់អ្នក ដូចជា 4H-SiC ឬ 6H-SiC ។ រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ដែលប្រើជាទូទៅបំផុតគឺ 4H-SiC ។
ប្រភេទសារធាតុ Doping៖ សម្រេចចិត្តថាតើអ្នកត្រូវការស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ដែល doped ឬ undoped ។ ប្រភេទ doping ទូទៅគឺ N-type (n-doped) ឬ P-type (p-doped) អាស្រ័យលើតម្រូវការជាក់លាក់របស់អ្នក។
គុណភាពគ្រីស្តាល់៖ វាយតម្លៃគុណភាពគ្រីស្តាល់នៃ SiC wafers ឬស្រទាប់ខាងក្រោម។ គុណភាពដែលចង់បានត្រូវបានកំណត់ដោយប៉ារ៉ាម៉ែត្រដូចជាចំនួននៃពិការភាពការតំរង់ទិសគ្រីស្តាល់និងភាពរដុបនៃផ្ទៃ។
អង្កត់ផ្ចិត Wafer៖ ជ្រើសរើសទំហំ wafer ដែលសមស្របដោយផ្អែកលើកម្មវិធីរបស់អ្នក។ ទំហំទូទៅរួមមាន 2 អ៊ីញ 3 អ៊ីញ 4 អ៊ីញ និង 6 អ៊ីញ។ អង្កត់ផ្ចិតធំជាង ទិន្នផលកាន់តែច្រើន អ្នកអាចទទួលបានក្នុងមួយ wafer ។
កម្រាស់: ពិចារណាពីកម្រាស់ដែលចង់បាននៃ wafers SiC ឬស្រទាប់ខាងក្រោម។ ជម្រើសកម្រាស់ធម្មតាមានចាប់ពីពីរបីមីក្រូម៉ែត្រដល់រាប់រយមីក្រូម៉ែត្រ។
ការតំរង់ទិស៖ កំណត់ទិសគ្រីស្តាល់ដែលស្របតាមតម្រូវការកម្មវិធីរបស់អ្នក។ ការតំរង់ទិសទូទៅរួមមាន (0001) សម្រាប់ 4H-SiC និង (0001) ឬ (0001̅) សម្រាប់ 6H-SiC ។
ការបញ្ចប់ផ្ទៃ៖ វាយតម្លៃការបញ្ចប់ផ្ទៃនៃ wafers SiC ឬស្រទាប់ខាងក្រោម។ ផ្ទៃគួរតែរលោង ប៉ូលា និងគ្មានស្នាម ឬសារធាតុកខ្វក់។
កេរ្តិ៍ឈ្មោះរបស់អ្នកផ្គត់ផ្គង់៖ ជ្រើសរើសអ្នកផ្គត់ផ្គង់ដែលមានកេរ្តិ៍ឈ្មោះជាមួយនឹងបទពិសោធន៍យ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងការផលិត wafers និងស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ដែលមានគុណភាពខ្ពស់។ ពិចារណាលើកត្តាដូចជាសមត្ថភាពផលិត ការត្រួតពិនិត្យគុណភាព និងការពិនិត្យអតិថិជន។
ថ្លៃដើម៖ ពិចារណាលើផលប៉ះពាល់នៃការចំណាយ រួមទាំងតម្លៃក្នុងមួយដុំ ឬស្រទាប់ខាងក្រោម និងការចំណាយលើការប្ដូរតាមបំណងបន្ថែម។
វាមានសារៈសំខាន់ណាស់ក្នុងការវាយតម្លៃដោយប្រុងប្រយ័ត្ននូវកត្តាទាំងនេះ ហើយពិគ្រោះជាមួយអ្នកជំនាញក្នុងឧស្សាហកម្ម ឬអ្នកផ្គត់ផ្គង់ ដើម្បីធានាថា wafers និងស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ដែលបានជ្រើសរើសបំពេញតាមតម្រូវការកម្មវិធីជាក់លាក់របស់អ្នក។
ដ្យាក្រាមលម្អិត
