6inch SiC Epitaxiy wafer ប្រភេទ N/P ទទួលយកតាមតម្រូវការ
ដំណើរការរៀបចំនៃ silicon carbide epitaxial wafer គឺជាវិធីសាស្រ្តមួយដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យា Chemical Vapor Deposition (CVD) ។ខាងក្រោមនេះជាគោលការណ៍បច្ចេកទេសពាក់ព័ន្ធ និងជំហាននៃដំណើរការរៀបចំ៖
គោលការណ៍បច្ចេកទេស៖
ការបញ្ចេញចំហាយគីមី៖ ការប្រើប្រាស់ឧស្ម័នវត្ថុធាតុដើមក្នុងដំណាក់កាលឧស្ម័ន ក្រោមលក្ខខណ្ឌប្រតិកម្មជាក់លាក់ វាត្រូវបាន decomposed និងដាក់នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមដើម្បីបង្កើតជាខ្សែភាពយន្តស្តើងដែលចង់បាន។
ប្រតិកម្មដំណាក់កាលឧស្ម័ន៖ តាមរយៈប្រតិកម្ម pyrolysis ឬប្រតិកម្មបំបែក ឧស្ម័នវត្ថុធាតុដើមផ្សេងៗនៅក្នុងដំណាក់កាលឧស្ម័នត្រូវបានផ្លាស់ប្តូរគីមីនៅក្នុងបន្ទប់ប្រតិកម្ម។
ជំហាននៃដំណើរការរៀបចំ៖
ការព្យាបាលស្រទាប់ខាងក្រោម៖ ស្រទាប់ខាងក្រោមត្រូវបានទទួលរងនូវការសម្អាតផ្ទៃ និងការរៀបចំជាមុន ដើម្បីធានាបាននូវគុណភាព និងគ្រីស្តាល់នៃ wafer epitaxial ។
ការបំបាត់កំហុសអង្គជំនុំជម្រះប្រតិកម្ម៖ កែតម្រូវសីតុណ្ហភាព សម្ពាធ និងអត្រាលំហូរនៃអង្គជំនុំជម្រះប្រតិកម្ម និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀត ដើម្បីធានាបាននូវស្ថេរភាព និងការគ្រប់គ្រងលក្ខខណ្ឌប្រតិកម្ម។
ការផ្គត់ផ្គង់វត្ថុធាតុដើម៖ ផ្គត់ផ្គង់វត្ថុធាតុដើមឧស្ម័នដែលត្រូវការទៅក្នុងអង្គជំនុំជម្រះប្រតិកម្ម លាយ និងគ្រប់គ្រងអត្រាលំហូរតាមតម្រូវការ។
ដំណើរការប្រតិកម្ម៖ ដោយកំដៅអង្គជំនុំជម្រះប្រតិកម្ម ចំណីឧស្ម័នឆ្លងកាត់ប្រតិកម្មគីមីក្នុងអង្គជំនុំជម្រះ ដើម្បីបង្កើតប្រាក់បញ្ញើដែលចង់បាន ពោលគឺ ខ្សែភាពយន្តស៊ីលីកុនកាបូន។
ការធ្វើឱ្យត្រជាក់ និងការមិនផ្ទុក៖ នៅចុងបញ្ចប់នៃប្រតិកម្ម សីតុណ្ហភាពត្រូវបានបន្ទាបបន្តិចម្តងៗដើម្បីឱ្យត្រជាក់ និងធ្វើឱ្យប្រាក់បញ្ញើរឹងនៅក្នុងអង្គជំនុំជម្រះប្រតិកម្ម។
Epitaxial wafer annealing និងក្រោយដំណើរការ: wafer epitaxial ដែលបានដាក់ត្រូវបាន annealed និង post-processed ដើម្បីបង្កើនលក្ខណៈសម្បត្តិអគ្គិសនី និងអុបទិករបស់វា។
ជំហាន និងលក្ខខណ្ឌជាក់លាក់នៃដំណើរការរៀបចំ wafer ស៊ីលីកុន carbide epitaxial អាចប្រែប្រួលអាស្រ័យលើឧបករណ៍ និងតម្រូវការជាក់លាក់។ខាងលើគ្រាន់តែជាលំហូរ និងគោលការណ៍ទូទៅប៉ុណ្ណោះ ប្រតិបត្តិការជាក់លាក់ត្រូវកែតម្រូវ និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពទៅតាមស្ថានភាពជាក់ស្តែង។
ដ្យាក្រាមលម្អិត
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)