ស្រទាប់ខាងក្រោម Electrode Sapphire និង Wafer C-plane LED Substrates
ការបញ្ជាក់
| ទូទៅ | ||
| រូបមន្តគីមី | Al2O3 | |
| រចនាសម្ព័នគ្រីស្តាល់ | ប្រព័ន្ធឆកោន (hk o 1) | |
| វិមាត្រក្រឡាឯកតា | a=4.758 Å,Å c=12.991 Å, c:a=2.730 | |
| រូបវិទ្យា | ||
| ម៉ែត្រ | អង់គ្លេស (អធិរាជ) | |
| ដង់ស៊ីតេ | 3.98 ក្រាម / CC | 0.144 ផោន / ក្នុង 3 |
| រឹង | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700°F |
| ចំណុចរលាយ | 2310 K (2040 ° C) | |
| រចនាសម្ព័ន្ធ | ||
| កម្លាំង tensile | 275 MPa ទៅ 400 MPa | 40,000 ទៅ 58,000 psi |
| កម្លាំង tensile នៅ 20 ° C | 58,000 psi (អប្បបរមានៃការរចនា) | |
| កម្លាំង tensile នៅ 500 ° C | 40,000 psi (អប្បបរមានៃការរចនា) | |
| កម្លាំង tensile នៅ 1000 ° C | 355 MPa | 52,000 psi (អប្បបរមានៃការរចនា) |
| កម្លាំង Flexural | 480 MPa ទៅ 895 MPa | 70,000 ទៅ 130,000 psi |
| កម្លាំងបង្ហាប់ | 2.0 GPa (ចុងក្រោយ) | 300,000 psi (ចុងក្រោយ) |
ត្បូងកណ្តៀងជាស្រទាប់ខាងក្រោមសៀគ្វី semiconductor
បន្ទះត្បូងកណ្តៀងស្តើង គឺជាការប្រើប្រាស់ជោគជ័យដំបូងបង្អស់នៃស្រទាប់ខាងក្រោមអ៊ីសូឡង់ ដែលស៊ីលីកុនត្រូវបានដាក់បញ្ចូលដើម្បីបង្កើតសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នាដែលហៅថាស៊ីលីកុននៅលើត្បូងកណ្តៀង (SOS)។ បន្ថែមពីលើលក្ខណៈសម្បត្តិអ៊ីសូឡង់អគ្គិសនីដ៏ល្អឥតខ្ចោះរបស់វា ត្បូងកណ្តៀងមានចរន្តកំដៅខ្ពស់។ បន្ទះឈីប CMOS នៅលើត្បូងកណ្តៀងគឺសមរម្យជាពិសេសសម្រាប់កម្មវិធីប្រេកង់វិទ្យុថាមពលខ្ពស់ (RF) ដូចជាទូរសព្ទចល័ត វិទ្យុសុវត្ថិភាពសាធារណៈ និងប្រព័ន្ធទំនាក់ទំនងផ្កាយរណប។
ក្រវិលត្បូងកណ្តៀងគ្រីស្តាល់តែមួយត្រូវបានគេប្រើផងដែរជាស្រទាប់ខាងក្រោមនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor សម្រាប់ការរីកលូតលាស់ឧបករណ៍ដែលមានមូលដ្ឋានលើ gallium nitride (GaN) ។ ការប្រើប្រាស់ត្បូងកណ្តៀងកាត់បន្ថយការចំណាយយ៉ាងច្រើន ដោយសារវាគឺប្រហែល 1/7 នៃការចំណាយរបស់ germanium.GaN នៅលើត្បូងកណ្តៀងត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅនៅក្នុង diodes បញ្ចេញពន្លឺពណ៌ខៀវ (LEDs) ។
ប្រើជាសម្ភារៈបង្អួច
ត្បូងកណ្តៀងសំយោគ (ជួនកាលគេហៅថាកញ្ចក់ត្បូងកណ្តៀង) ជារឿយៗត្រូវបានគេប្រើជាសម្ភារៈបង្អួចព្រោះវាមានតម្លាភាពខ្ពស់រវាង 150 nm (អ៊ុលត្រាវីយូឡេ) និង 5500 nm (អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ) នៃពន្លឺ (វិសាលគមដែលអាចមើលឃើញមានចាប់ពីប្រហែល 380 nm ដល់ 750 nm) និងមានភាពធន់ទ្រាំខ្ពស់ក្នុងការកោស។ គុណសម្បត្តិសំខាន់ៗនៃបង្អួចត្បូងកណ្តៀង
រួមបញ្ចូល
កម្រិតបញ្ជូនបញ្ជូនអុបទិកធំទូលាយខ្លាំង ពីកាំរស្មីយូវីទៅពន្លឺជិតអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ
ខ្លាំងជាងសម្ភារៈអុបទិកផ្សេងទៀត ឬបង្អួចកញ្ចក់
ធន់នឹងការកោស និងសំណឹកខ្ពស់ (ភាពរឹងរបស់រ៉ែ 9 នៅលើមាត្រដ្ឋាន Mohs ទីពីរបន្ទាប់ពីពេជ្រ និង moissanite ក្នុងចំណោមសារធាតុធម្មជាតិ)
ចំណុចរលាយខ្ពស់ខ្លាំង (2030°C)
ដ្យាក្រាមលម្អិត
