N-Type SiC នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម Si Composite Dia6inch

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

N-Type SiC នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមសមាសធាតុ Si គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ដែលមានស្រទាប់ n-type silicon carbide (SiC) ដាក់នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម silicon (Si) ។


ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

等级ថ្នាក់

យូ 级

ភី

កម្រិត BPD ទាប

ថ្នាក់ផលិតកម្ម

ថ្នាក់អត់ចេះសោះ

直径អង្កត់ផ្ចិត

150.0 មម± 0.25 មម

厚度កម្រាស់

500 μm± 25μm

晶片方向ការតំរង់ទិស Wafer

អ័ក្សបិទ : 4.0° ឆ្ពោះទៅ < 11-20 > ±0.5° សម្រាប់ 4H-N នៅលើអ័ក្ស : <0001>±0.5° សម្រាប់ 4H-SI

主定位边方向ផ្ទះល្វែងបឋម

{10-10}±5.0°

主定位边长度ប្រវែងផ្ទះល្វែងបឋម

47.5 មម± 2.5 ម។

边缘ការដកគែម

3 ម។

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow/Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD & BPD

MPD≤1 សង់ទីម៉ែត្រ-2

MPD≤5 សង់ទីម៉ែត្រ-2

MPD≤15 សង់ទីម៉ែត្រ-2

BPD≤1000cm-2

电阻率ភាពធន់

≥1E5 Ω·សង់ទីម៉ែត្រ

表面粗糙度ភាពរដុប

ប៉ូឡូញ Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

គ្មាន

ប្រវែងសរុប ≤10mm ប្រវែងតែមួយ≤2mm

ការបំបែកដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។

六方空洞(强光灯观测)*

តំបន់​បង្គរ ≤1%

តំបន់បង្គរ ≤5%

ចាន Hex ដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។

多型(强光灯观测)*

គ្មាន

តំបន់បង្គរ≤5%

តំបន់ពហុប្រភេទដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។

划痕(强光灯观测)*&

3 កោសទៅ 1 × wafer អង្កត់ផ្ចិត

5 កោសទៅ 1 × wafer អង្កត់ផ្ចិត

កោសដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។

ប្រវែងសរុប

ប្រវែងសរុប

崩边# បន្ទះឈីបគែម

គ្មាន

5 អនុញ្ញាត, ≤1មមនីមួយៗ

表面污染物(强光灯观测)

គ្មាន

ការចម្លងរោគដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។

 

ដ្យាក្រាមលម្អិត

WeChatfb506868f1be4983f80912519e79dd7b

  • មុន៖
  • បន្ទាប់៖

  • សរសេរសាររបស់អ្នកនៅទីនេះ ហើយផ្ញើវាមកយើង