ត្បូងកណ្តៀង 3 អ៊ីញ 4 អ៊ីញ 6 អ៊ីញ វិធីសាស្ត្រ Monocrystal CZ KY អាចប្ដូរតាមបំណងបាន
លក្ខណៈសំខាន់ៗ
ភាពបរិសុទ្ធ និងគុណភាពពិសេស៖
ត្បូងកណ្តៀងត្រូវបានផលិតឡើងដោយអុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូមដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ (99.999%) ដែលធានាបាននូវរចនាសម្ព័ន្ធ monocrystalline គ្មានកំហុស។ បច្ចេកទេសការលូតលាស់របស់គ្រីស្តាល់ជឿនលឿនដែលប្រើប្រាស់ក្នុងអំឡុងពេលផលិត កាត់បន្ថយការខូចទ្រង់ទ្រាយដូចជារន្ធញើស បន្ទះសៀគ្វី និងកូនភ្លោះ ដែលជាលទ្ធផលនាំឱ្យមានការផ្លាស់ទីលំនៅតិចតួច និងដំណើរការពិសេស។
ការកំណត់ទំហំ និងការប្ដូរតាមបំណងច្រើនយ៉ាង៖
ផ្តល់ជូនក្នុងអង្កត់ផ្ចិតស្តង់ដារ 3 អ៊ីញ 4 អ៊ីង និង 6 អ៊ីង ធាតុទាំងនេះអាចប្ដូរតាមបំណងបានពេញលេញដើម្បីបំពេញតាមតម្រូវការពិសេសនៃកម្មវិធីជាក់លាក់។ ការប្ដូរតាមបំណងអាចរួមបញ្ចូលអង្កត់ផ្ចិត ប្រវែង ការតំរង់ទិស និងការបញ្ចប់ផ្ទៃ ដែលធ្វើឱ្យពួកវាស័ក្តិសមសម្រាប់អារេដ៏ធំទូលាយនៃឧស្សាហកម្ម។
តម្លាភាពអុបទិកធំទូលាយ៖
ត្បូងកណ្តៀងបង្ហាញពីតម្លាភាពដ៏ល្អឥតខ្ចោះនៅទូទាំងជួររលកចម្ងាយដ៏ធំទូលាយចាប់ពីអ៊ុលត្រាវីយូឡេ (150nm) ដល់ពាក់កណ្តាលអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ (5500nm)។ នេះធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់កម្មវិធីអុបទិកដែលទាមទារភាពច្បាស់លាស់ខ្ពស់ និងការស្រូបយកតិចបំផុត។
លក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិចលេចធ្លោ៖
ចំណាត់ថ្នាក់ទី 9 នៅលើមាត្រដ្ឋានភាពរឹងរបស់ Mohs ត្បូងកណ្តៀងស្ថិតនៅលំដាប់ទីពីរបន្ទាប់ពីពេជ្រក្នុងភាពរឹង។ នេះផ្តល់នូវភាពធន់នឹងការកោស និងធន់ដ៏ពិសេស ដែលធានាបាននូវអាយុកាលសេវាកម្មយូរអង្វែងនៅក្នុងបរិយាកាសដ៏អាក្រក់។
ស្ថេរភាពកម្ដៅ និងគីមី៖
ត្បូងកណ្តៀងអាចទប់ទល់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្លាំងរហូតដល់ 2000°C ដោយមិនធ្វើឱ្យខូចគុណភាពរបស់វា។ ពួកវាក៏មានភាពអសកម្មគីមីផងដែរ ដោយផ្តល់នូវភាពធន់នឹងអាស៊ីត អាល់កាឡាំង និងសារធាតុច្រេះផ្សេងទៀត។
ដំណើរការផលិត
វិធីសាស្រ្ត Czochralski (CZ)៖
បច្ចេកទេសនេះពាក់ព័ន្ធនឹងការទាញគ្រីស្តាល់តែមួយចេញពីអាងងូតទឹកអុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូដែលរលាយ ដោយប្រើការត្រួតពិនិត្យកម្ដៅ និងការបង្វិលច្បាស់លាស់។
ផលិតវត្ថុធាតុដែលមានគុណភាពខ្ពស់ជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេពិការភាពទាប ដែលល្អសម្រាប់កម្មវិធីនៅក្នុង semiconductors និង optics ។
វិធីសាស្រ្ត Kyropoulos (KY)៖
ដំណើរការនេះរីកធំធាត់ គ្រីស្តាល់ត្បូងកណ្តៀងដែលមានគុណភាពខ្ពស់ ដោយធ្វើឱ្យអុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូមរលាយយឺត។
ត្បូងកណ្តៀងដែលដាំដុះ KY ត្រូវបានគេវាយតម្លៃជាពិសេសសម្រាប់ភាពតានតឹងទាប និងលក្ខណៈសម្បត្តិឯកសណ្ឋាន ដែលធ្វើឱ្យពួកវាល្អសម្រាប់កម្មវិធីដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់។
វិធីសាស្រ្តទាំងពីរនេះត្រូវបានកែសម្រួលដើម្បីសម្រេចបាននូវធាតុដែលមានភាពច្បាស់លាស់ខ្ពស់ ដង់ស៊ីតេនៃការផ្លាស់ទីលំនៅអប្បបរមា (EPD ≤ 1000/cm²) និងលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តដែលជាប់លាប់។
កម្មវិធី
អុបទិក៖
Lenses និង Windows៖ ប្រើក្នុងសមាសធាតុអុបទិកដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ដូចជា កញ្ចក់ ព្រីស និងបង្អួចសម្រាប់កាមេរ៉ា តេឡេស្កុប និងមីក្រូទស្សន៍។
ប្រព័ន្ធឡាស៊ែរ៖ ភាពថ្លា និងធន់ខ្ពស់របស់ Sapphire ធ្វើឱ្យវាស័ក្តិសមសម្រាប់បង្អួចឡាស៊ែរ និងឧបករណ៍ភាពជាក់លាក់ផ្សេងទៀត។
អេឡិចត្រូនិក៖
ស្រទាប់ខាងក្រោម៖ Sapphire គឺជាសម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោមដែលពេញចិត្តសម្រាប់ LEDs, RFIC (Radio Frequency Integrated Circuits) និងថាមពលអេឡិចត្រូនិច ដោយសារលក្ខណៈសម្បត្តិអ៊ីសូឡង់របស់វា និងចរន្តកំដៅ។
ឧបករណ៍ដែលមានប្រេកង់ខ្ពស់៖ ធានាបាននូវដំណើរការដែលអាចទុកចិត្តបានក្នុងការទាមទារកម្មវិធីទូរគមនាគមន៍ និងមីក្រូអេឡិចត្រូនិច។
លំហអាកាស និងការពារជាតិ៖
Missile Domes៖ ជាមួយនឹងស្ថេរភាពកម្ដៅ និងមេកានិចខ្ពស់របស់វា ត្បូងកណ្តៀងត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការពារកាំជ្រួច និងបង្អួចឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា។
ពាសដែក និងខែល៖ ផ្តល់នូវការរួមបញ្ចូលគ្នានៃភាពច្បាស់លាស់អុបទិក និងធន់នឹងផលប៉ះពាល់សម្រាប់ឧបករណ៍ការពារ។
ទំនិញប្រណិត៖
នាឡិកាគ្រីស្តាល់៖ ភាពធន់នឹងការឆ្កូតរបស់ Sapphire ធ្វើឱ្យវាក្លាយជាសម្ភារៈនៃជម្រើសសម្រាប់មុខនាឡិកាកម្រិតខ្ពស់។
គ្រឿងតុបតែងលម្អ៖ តម្លាភាព និងសោភ័ណភាពរបស់ Sapphire ត្រូវបានប្រើប្រាស់លើគ្រឿងអលង្ការ និងគ្រឿងបន្សំដ៏មានតម្លៃ។
ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ និងវិទ្យាសាស្ត្រ៖
ភាពមិនស៊ីសង្វាក់គ្នានៃសារធាតុគីមី និងជីវគីមីរបស់ Sapphire ធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ និងប្រព័ន្ធរូបភាពជីវវេជ្ជសាស្ត្រ។
លក្ខណៈបច្ចេកទេស
| ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ | ការបញ្ជាក់ |
| សម្ភារៈ | អុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូម Monocrystalline (Al₂O₃) |
| ជម្រើសអង្កត់ផ្ចិត | 3 អ៊ីញ, 4 អ៊ីញ, 6 អ៊ីញ |
| ប្រវែង | អាចប្ដូរតាមបំណងបាន។ |
| ដង់ស៊ីតេពិការភាព | ≤10% |
| ដង់ស៊ីតេអណ្តូងរ៉ែ (EPD) | ≤1000/cm² |
| ការតំរង់ទិសផ្ទៃ | (0001) (នៅលើអ័ក្ស ±0.25°) |
| ការបញ្ចប់ផ្ទៃ | ដូចជាកាត់ឬប៉ូលា |
| ស្ថេរភាពកំដៅ | ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពរហូតដល់ 2000 អង្សាសេ |
| ភាពធន់នឹងគីមី | មានភាពធន់ទ្រាំខ្ពស់ចំពោះអាស៊ីត អាល់កាឡាំង និងសារធាតុរំលាយ |
ជម្រើសប្ដូរតាមបំណង
ការបញ្ចូលត្បូងកណ្តៀងរបស់យើងអាចត្រូវបានកែសម្រួលតាមតម្រូវការគម្រោងជាក់លាក់៖
វិមាត្រ៖ អង្កត់ផ្ចិត និងប្រវែងផ្ទាល់ខ្លួនលើសពីទំហំស្តង់ដារ 3, 4, និង 6 អ៊ីង។
ការតំរង់ទិសលើផ្ទៃ៖ ការតំរង់ទិសគ្រីស្តាល់ជាក់លាក់ (ឧ, (0001), (10-10)) មាន។
ការបញ្ចប់ផ្ទៃ៖ ជម្រើសរួមមានដូចជា-កាត់ ដី ឬផ្ទៃប៉ូលា ដើម្បីបំពេញតម្រូវការមុខងារ និងសោភ័ណភាព។
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធផ្ទះល្វែង៖ ផ្ទះល្វែងបឋម និងបន្ទាប់បន្សំអាចត្រូវបានផ្តល់ជូនតាមតម្រូវការអតិថិជន។
ហេតុអ្វីបានជាជ្រើសរើស Sapphire Ingots របស់យើង?
គុណភាពមិនកាត់ថ្លៃ៖
ត្បូងកណ្តៀងរបស់យើងឆ្លងកាត់ការត្រួតពិនិត្យគុណភាពយ៉ាងម៉ត់ចត់ ដើម្បីធានាបាននូវលក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិក កម្ដៅ និងមេកានិចដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។
ការផលិតកម្រិតខ្ពស់៖
ដោយប្រើប្រាស់វិធីសាស្រ្ត CZ និង KY យើងសម្រេចបាននូវតុល្យភាពនៃដង់ស៊ីតេទាប ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ និងភាពជាក់លាក់នៃវិមាត្រ។
កម្មវិធីសកល៖
បម្រើឧស្សាហកម្មចម្រុះ ត្បូងកណ្តៀងរបស់យើងត្រូវបានជឿទុកចិត្តដោយក្រុមហ៊ុនឈានមុខសម្រាប់ភាពជឿជាក់ និងដំណើរការរបស់ពួកគេ។
ការប្ដូរតាមបំណងអ្នកជំនាញ៖
យើងធ្វើការយ៉ាងជិតស្និទ្ធជាមួយអតិថិជនដើម្បីផ្តល់នូវដំណោះស្រាយដែលតម្រូវតាមតម្រូវការជាក់លាក់នៃគម្រោង ដោយធានាបាននូវតម្លៃ និងប្រសិទ្ធភាពអតិបរមា។
សេចក្តីសន្និដ្ឋាន
ត្បូងកណ្តៀងនៅក្នុងអង្កត់ផ្ចិត 3 អ៊ីញ 4 អ៊ីញ និង 6 អ៊ីញដែលផលិតដោយប្រើវិធីសាស្ត្រ CZ និង KY តំណាងឱ្យចំណុចកំពូលនៃបច្ចេកវិទ្យា monocrystalline ។ ការរួមបញ្ចូលគ្នានៃភាពច្បាស់លាស់នៃអុបទិក ភាពធន់ពិសេស និងស្ថេរភាពកម្ដៅធ្វើឱ្យពួកគេមិនអាចខ្វះបាននៅក្នុងឧស្សាហកម្មចាប់ពីគ្រឿងអេឡិចត្រូនិកបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់រហូតដល់ទំនិញប្រណីត។ ជាមួយនឹងទំហំ និងលក្ខណៈជាក់លាក់ដែលអាចប្ដូរតាមបំណង ធាតុទាំងនេះត្រូវបានវិស្វកម្មដើម្បីបំពេញតាមតម្រូវការតម្រូវការបំផុត។ សហការជាមួយយើងដើម្បីចូលប្រើប្រាស់សម្ភារៈទំនើបៗ ដែលនឹងលើកកម្ពស់ផលិតផល និងដំណើរការរបស់អ្នកទៅកម្រិតឧត្តមភាពថ្មី។
ប្រភេទផលិតផល
-
FZ CZ Si wafer មានក្នុងស្តុក 12inch Silicon wafer Pr...
-
ប្រអប់ដឹកជញ្ជូនប្រអប់ការ៉េផ្ទាល់ខ្លួន ប្រអប់បង្អួចការ៉េ p...
-
KY និង EFG Sapphire Method Tube sapphire rods p...
-
ស្រទាប់ខាងក្រោម SiC 3អ៊ីញ កម្រាស់ 350um HPSI ប្រភេទ P...
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substrate 4inch ...
-
សារធាតុបំភ្លឺ - គែម LSO (Ce...