ស៊ី.ស៊ី
-
4H-N 8 inch SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research grade 500um thickness
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reeasearch production កម្រិត Dummy grade Dia150mm ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon carbide
-
12 អ៊ីង SIC substrate silicon carbide prime grade អង្កត់ផ្ចិត 300mm ទំហំធំ 4H-N ស័ក្តិសមសម្រាប់ការរំសាយកំដៅឧបករណ៍ថាមពលខ្ពស់
-
8 អ៊ីង SiC silicon carbide wafer 4H-N ប្រភេទ 0.5mm ថ្នាក់ស្រាវជ្រាវកម្រិតផលិតកម្ម ស្រទាប់ខាងក្រោមប៉ូលាផ្ទាល់ខ្លួន
-
HPSI SiC wafer dia: កម្រាស់ 3 អ៊ីញ: 350um ± 25 µm សម្រាប់ថាមពលអេឡិចត្រូនិច
-
3inch High purity Semi-Insulating (HPSI) SiC wafer 350um Dummy grade Prime grade
-
P-type SiC substrate SiC wafer Dia2inch ផលិតផលថ្មី។
-
8 អ៊ីញ 200mm Silicon Carbide SiC Wafers ប្រភេទ 4H-N កម្រិតផលិតកម្ម កម្រាស់ 500um
-
2Inch 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Double Polished Conductive Prime Grade Mos Grade
-
SiC ceramic end effector hand handing arm for carring wafer
-
ចាន/ថាសសេរ៉ាមិច SiC សម្រាប់អ្នកកាន់ wafer 4 អ៊ីញ 6 អ៊ីញសម្រាប់ ICP
-
3 អ៊ីញ ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ (មិនធ្វើ) Silicon Carbide Wafers semi-Insulating Sic Substrates (HPSl)