2inch 50.8mm Germanium Wafer Substrate Single crystal 1SP 2SP
ពត៌មានលំអិត
បន្ទះសៀគ្វី Germanium មានលក្ខណៈសម្បត្តិ semiconductor ។បានដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍រូបវិទ្យានៃរដ្ឋរឹង និងអេឡិចត្រូនិចរដ្ឋរឹង។Germanium មានដង់ស៊ីតេរលាយ 5.32g/cm 3 germanium អាចត្រូវបានចាត់ថ្នាក់ជាលោហៈដែលខ្ចាត់ខ្ចាយស្តើង ស្ថេរភាពគីមីរបស់ germanium មិនមានអន្តរកម្មជាមួយខ្យល់ ឬចំហាយទឹកនៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់ ប៉ុន្តែនៅសីតុណ្ហភាព 600 ~ 700 ℃ germanium dioxide ត្រូវបានបង្កើតយ៉ាងឆាប់រហ័ស។ .មិនដំណើរការជាមួយអាស៊ីត hydrochloric, រំលាយអាស៊ីត sulfuric ។នៅពេលដែលអាស៊ីតស៊ុលហ្វួរីកប្រមូលផ្តុំត្រូវបានកំដៅ germanium នឹងរលាយបន្តិចម្តងៗ។នៅក្នុងទឹកអាស៊ីត nitric និង aqua regia, germanium ត្រូវបានរំលាយយ៉ាងងាយស្រួល។ឥទ្ធិពលនៃដំណោះស្រាយអាល់កាឡាំងលើ germanium គឺខ្សោយណាស់ ប៉ុន្តែអាល់កាឡាំងរលាយក្នុងខ្យល់អាចធ្វើឱ្យ germanium រលាយយ៉ាងឆាប់រហ័ស។Germanium មិនដំណើរការជាមួយកាបូនទេ ដូច្នេះវាត្រូវបានរលាយក្នុងក្រាហ្វិច ហើយនឹងមិនត្រូវបានបំពុលដោយកាបូនទេ។Germanium មានលក្ខណៈសម្បត្តិ semiconductor ល្អ ដូចជាការចល័តអេឡិចត្រុង ការចល័តរន្ធជាដើម។ការអភិវឌ្ឍនៃ germanium នៅតែមានសក្តានុពលដ៏អស្ចារ្យ។
ការបញ្ជាក់
វិធីសាស្រ្តលូតលាស់ | CZ | ||
រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ | ប្រព័ន្ធគូប | ||
បន្ទះឈើថេរ | a=5.65754 Å | ||
ដង់ស៊ីតេ | 5.323 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ 3 | ||
ចំណុចរលាយ | ៩៣៧.៤ អង្សាសេ | ||
សារធាតុញៀន | លែងប្រើសារធាតុញៀន | ថ្នាំ Doping-Sb | ថ្នាំ Doping-Ga |
ប្រភេទ | / | N | P |
ការតស៊ូ | 35Ωcm | 0.01 ~ 35 Ωcm | 0.05 ~ 35 Ωcm |
EPD | ៤ × ១០3∕cm2 | ៤ × ១០3∕cm2 | ៤ × ១០3∕cm2 |
អង្កត់ផ្ចិត | 2 អ៊ីញ / 50.8 ម។ | ||
កម្រាស់ | 0.5mm, 1.0mm | ||
ផ្ទៃ | DSP និង SSP | ||
ការតំរង់ទិស | <100>,<110>,<111>, ±0.5º | ||
Ra | ≤5Å (5µm × 5µm) | ||
កញ្ចប់ | កញ្ចប់ 100 ថ្នាក់ 1000 បន្ទប់ |