2inch 50.8mm Silicon Carbide SiC Wafers Doped Si N-type Production Research and Dummy grade
លក្ខណៈវិនិច្ឆ័យប៉ារ៉ាម៉ែត្រសម្រាប់ 2-inch 4H-N wafers SiC undoped រួមបញ្ចូល
សម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោម៖ ស៊ីលីកុនកាបូន 4H (4H-SiC)
រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់: tetrahexahedral (4H)
Doping: Undoped (4H-N)
ទំហំ៖ ២ អ៊ីញ
ប្រភេទចរន្ត៖ N-type (n-doped)
ចរន្តអគ្គិសនី៖ Semiconductor
ទស្សនវិស័យទីផ្សារ៖ 4H-N non-doped SiC wafers មានគុណសម្បត្តិជាច្រើនដូចជា ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ការបាត់បង់ចរន្តទាប ភាពធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងស្ថេរភាពមេកានិចខ្ពស់ ហើយដូច្នេះមានទស្សនវិស័យទីផ្សារទូលំទូលាយនៅក្នុងកម្មវិធីអេឡិចត្រូនិច និង RF ។ជាមួយនឹងការអភិវឌ្ឍនៃថាមពលកកើតឡើងវិញ យានជំនិះអគ្គិសនី និងការទំនាក់ទំនង មានតម្រូវការកើនឡើងសម្រាប់ឧបករណ៍ដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ប្រតិបត្តិការសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងការអត់ធ្មត់ថាមពលខ្ពស់ ដែលផ្តល់ឱកាសទីផ្សារកាន់តែទូលំទូលាយសម្រាប់ 4H-N wafers ដែលមិនមានជាតិគីមី។
ការប្រើប្រាស់៖ 2-inch 4H-N non-doped SiC wafers អាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ផលិតគ្រឿងអេឡិចត្រូនិក និងឧបករណ៍ RF ជាច្រើនប្រភេទ រួមទាំងប៉ុន្តែមិនកំណត់ចំពោះ៖
1--4H-SiC MOSFETs: ដែកអ៊ីដ្រូសែនស៊ីស្ទ័រដែលមានប្រសិទ្ធិភាពវាលត្រង់ស៊ីស្ទ័រសម្រាប់កម្មវិធីថាមពលខ្ពស់/សីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ឧបករណ៍ទាំងនេះមានចរន្តទាប និងការបាត់បង់ការផ្លាស់ប្តូរ ដើម្បីផ្តល់នូវប្រសិទ្ធភាព និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់។
2--4H-SiC JFETs៖ Junction FETs សម្រាប់ឧបករណ៍ពង្រីកថាមពល RF និងកម្មវិធីប្តូរ។ឧបករណ៍ទាំងនេះផ្តល់នូវដំណើរការប្រេកង់ខ្ពស់ និងស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់។
3--4H-SiC Schottky Diodes: Diodes សម្រាប់ថាមពលខ្ពស់ សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ កម្មវិធីប្រេកង់ខ្ពស់។ឧបករណ៍ទាំងនេះផ្តល់នូវប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ជាមួយនឹងចរន្តទាប និងការបាត់បង់ការប្តូរ។
4--4H-SiC Optoelectronic Devices៖ ឧបករណ៍ដែលប្រើនៅក្នុងតំបន់ដូចជា diodes ឡាស៊ែរថាមពលខ្ពស់ ឧបករណ៍ចាប់កាំរស្មី UV និងសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា optoelectronic ។ឧបករណ៍ទាំងនេះមានថាមពល និងលក្ខណៈប្រេកង់ខ្ពស់។
សរុបមក 2-inch 4H-N non-doped SiC wafers មានសក្តានុពលសម្រាប់កម្មវិធីជាច្រើន ជាពិសេសនៅក្នុង power electronics និង RF។ការសម្តែងដ៏ល្អឥតខ្ចោះរបស់ពួកគេ និងស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ធ្វើឱ្យពួកគេក្លាយជាគូប្រជែងដ៏រឹងមាំដើម្បីជំនួសសម្ភារៈស៊ីលីកុនប្រពៃណីសម្រាប់កម្មវិធីដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងថាមពលខ្ពស់។
ដ្យាក្រាមលម្អិត
