3inch 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafers Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

គ្រីស្តាល់តែមួយដែលមានគុណភាពខ្ពស់ SiC wafer ( Silicon Carbide ) ទៅកាន់ឧស្សាហកម្មអេឡិចត្រូនិច និងអុបទិក។ 3inch SiC wafer គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ជំនាន់បន្ទាប់ wafers silicon-carbide ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់នៃអង្កត់ផ្ចិត 3 អ៊ីញ។ wafers ត្រូវបានបម្រុងទុកសម្រាប់ការផលិតថាមពល RF និងឧបករណ៍ optoelectronics ។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

ការបញ្ជាក់ផលិតផល

3-inch 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) wafers គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ដែលប្រើជាទូទៅ។ 4H បង្ហាញពីរចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ tetrahexahedral ។ អ៊ីសូឡង់ពាក់កណ្តាលមានន័យថាស្រទាប់ខាងក្រោមមានលក្ខណៈធន់ទ្រាំខ្ពស់ហើយអាចនៅដាច់ដោយឡែកពីលំហូរបច្ចុប្បន្ន។

ស្រទាប់ខាងក្រោម wafers មានលក្ខណៈដូចខាងក្រោម: ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ការបាត់បង់ចរន្តទាប ភាពធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ល្អឥតខ្ចោះ និងស្ថេរភាពមេកានិច និងគីមីដ៏ល្អ។ ដោយសារតែស៊ីលីកុនកាបូនមានគម្លាតថាមពលធំទូលាយ និងអាចទប់ទល់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងលក្ខខណ្ឌវាលអគ្គិសនីខ្ពស់ ខ្សែពាក់ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ 4H-SiC ត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកថាមពល និងប្រេកង់វិទ្យុ (RF)។

កម្មវិធីសំខាន់នៃ wafers ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ 4H-SiC រួមមាន:

1--អេឡិចត្រូនិចថាមពល៖ 4H-SiC wafers អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិតឧបករណ៍ប្តូរថាមពលដូចជា MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) និង Schottky diodes ។ ឧបករណ៍ទាំងនេះមានការថយចុះនៃចរន្ត និងការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុងបរិយាកាសតង់ស្យុង និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ហើយផ្តល់នូវប្រសិទ្ធភាព និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់ជាងមុន។

2--Radio Frequency (RF) Devices: 4H-SiC semi-insulated wafers អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិតថាមពលខ្ពស់ ប្រេកង់ខ្ពស់ RF power amplifiers chip resistors តម្រង និងឧបករណ៍ផ្សេងទៀត។ Silicon carbide មានដំណើរការប្រេកង់ខ្ពស់ និងស្ថេរភាពកម្ដៅប្រសើរជាងមុន ដោយសារអត្រានៃការរសាត់ឆ្អែតនៃអេឡិចត្រុងធំជាង និងចរន្តកម្ដៅខ្ពស់ជាង។

3--ឧបករណ៍ Optoelectronic: wafers ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ 4H-SiC អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិត diodes ឡាស៊ែរថាមពលខ្ពស់ ឧបករណ៍ចាប់ពន្លឺ UV និងសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា optoelectronic ។

នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃទិសដៅទីផ្សារតម្រូវការសម្រាប់ wafers ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ 4H-SiC កំពុងកើនឡើងជាមួយនឹងវិស័យដែលកំពុងរីកចម្រើននៃអេឡិចត្រូនិចថាមពល RF និង optoelectronics ។ នេះគឺដោយសារតែការពិតដែលថា silicon carbide មានជួរធំទូលាយនៃកម្មវិធីរួមទាំងប្រសិទ្ធភាពថាមពលរថយន្តអគ្គិសនីថាមពលកកើតឡើងវិញនិងទំនាក់ទំនង។ នៅពេលអនាគត ទីផ្សារសម្រាប់ wafers ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ 4H-SiC នៅតែមានជោគជ័យខ្លាំង ហើយត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងជំនួសសម្ភារៈស៊ីលីកុនធម្មតានៅក្នុងកម្មវិធីផ្សេងៗ។