4 អ៊ីង SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, and dummy grade
ការបញ្ជាក់ផលិតផល
| ថ្នាក់ | សូន្យ MPD Production Grade (Z Grade) | កម្រិតផលិតកម្មស្តង់ដារ (P Grade) | ថ្នាក់ Dummy (D Grade) | ||||||||
| អង្កត់ផ្ចិត | 99.5 mm ~ 100.0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm± 20 μm | 500 μm± 25 μm | |||||||||
| ការតំរង់ទិស Wafer |
អ័ក្សបិទ : 4.0° ឆ្ពោះទៅ< 1120> ±0.5° សម្រាប់ 4H-N, នៅលើអ័ក្ស : <0001>±0.5° សម្រាប់ 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤ 5 សង់ទីម៉ែត្រ-2 | ≤15 សង់ទីម៉ែត្រ-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·សង់ទីម៉ែត្រ | ≥1E5 Ω·សង់ទីម៉ែត្រ | |||||||||
| ការតំរង់ទិសផ្ទះល្វែងបឋម | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| ប្រវែងផ្ទះល្វែងបឋម | 32.5 មម± 2.0 មម | ||||||||||
| ប្រវែងផ្ទះល្វែងបន្ទាប់បន្សំ | 18.0 មម± 2.0 មម | ||||||||||
| ការតំរង់ទិសផ្ទះល្វែងបន្ទាប់បន្សំ | Silicon ប្រឈមមុខនឹងការ: 90 ° CW ។ពីផ្ទះ Prime ±5.0° | ||||||||||
| ការដកគែម | 3 ម។ | ||||||||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| ភាពរដុប | មុខ C | ប៉ូឡូញ | Ra≤1 nm | ||||||||
| មុខ Si | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| ការបំបែកគែមដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។ | គ្មាន | ប្រវែងរួម ≤ 10 មម, ទោល។ ប្រវែង≤ 2 ម។ | |||||||||
| ចាន Hex ដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។ | តំបន់បង្គរ ≤0.05% | តំបន់បង្គរ ≤0.1% | |||||||||
| តំបន់ Polytype ដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។ | គ្មាន | តំបន់បង្គរ≤3% | |||||||||
| ការរួមបញ្ចូលកាបូនដែលមើលឃើញ | តំបន់បង្គរ ≤0.05% | តំបន់បង្គរ ≤3% | |||||||||
| កោសផ្ទៃស៊ីលីកុនដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។ | គ្មាន | ប្រវែងសរុប≤1＊អង្កត់ផ្ចិត wafer | |||||||||
| បន្ទះសៀគ្វីគែមខ្ពស់ដោយពន្លឺអាំងតង់ស៊ីតេ | គ្មានការអនុញ្ញាត ≥0.2 mm ទទឹង និងជម្រៅ | 5 អនុញ្ញាត, ≤1មមនីមួយៗ | |||||||||
| ការបំពុលផ្ទៃស៊ីលីកុនដោយអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់។ | គ្មាន | ||||||||||
| ការវេចខ្ចប់ | Multi-wafer Cassette ឬ Single Wafer Container | ||||||||||
ដ្យាក្រាមលម្អិត
សរសេរសាររបស់អ្នកនៅទីនេះ ហើយផ្ញើវាមកយើង
