4H-Semi HPSI 2inch SiC substrate wafer Production Dummy Research grade

ស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន carbide ត្រូវបានបែងចែកជាចម្បងទៅជាប្រភេទ conductive និង semi-insulating, conductive silicon carbide substrate to n-type ត្រូវបានគេប្រើជាចម្បងសម្រាប់ epitaxial GaN-based LED និងឧបករណ៍ optoelectronic ផ្សេងទៀត ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចថាមពលដែលមានមូលដ្ឋានលើ SiC ។ល។ និងពាក់កណ្តាល។ ស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន carbide អ៊ីសូឡង់ SiC ត្រូវបានប្រើជាចម្បងសម្រាប់ការផលិត epitaxial នៃឧបករណ៍ប្រេកង់វិទ្យុថាមពលខ្ពស់ GaN ។លើសពីនេះទៀតអ៊ីសូឡង់ពាក់កណ្តាលភាពបរិសុទ្ធ HPSI និង SI មានភាពខុសប្លែកគ្នា កំហាប់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់នៃជួរ 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015 / cm3 ជាមួយនឹងការចល័តអេឡិចត្រុងខ្ពស់;អ៊ីសូឡង់ពាក់កណ្តាលគឺជាវត្ថុធាតុដើមដែលមានភាពធន់ទ្រាំខ្ពស់ធន់ទ្រាំគឺខ្ពស់ណាស់ដែលជាទូទៅត្រូវបានប្រើសម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោមឧបករណ៍មីក្រូវ៉េវដែលមិនដំណើរការ។

សន្លឹកស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon Carbide ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ SiC wafer

រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ SiC កំណត់រូបវន្តរបស់វា ទាក់ទងទៅនឹង Si និង GaAs SiC មានសម្រាប់លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត។ទទឹងក្រុមតន្រ្តីហាមឃាត់មានទំហំធំជិត 3 ដងនៃ Si ដើម្បីធានាថាឧបករណ៍ដំណើរការនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ក្រោមភាពជឿជាក់យូរអង្វែង។កម្លាំងវាលបំបែកគឺខ្ពស់គឺ 1O ដងនៃ Si ដើម្បីធានាថាសមត្ថភាពវ៉ុលឧបករណ៍ធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវតម្លៃវ៉ុលឧបករណ៍។អត្រាតិត្ថិភាពនៃអេឡិចត្រុងមានទំហំធំគឺ 2 ដងនៃ Si ដើម្បីបង្កើនប្រេកង់និងដង់ស៊ីតេថាមពលរបស់ឧបករណ៍។ចរន្តកំដៅគឺខ្ពស់ ច្រើនជាងស៊ី ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ជាងស៊ី ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ចរន្តកំដៅខ្ពស់។ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ច្រើនជាង Si 3 ដង បង្កើនសមត្ថភាពបញ្ចេញកំដៅរបស់ឧបករណ៍ និងដឹងពីភាពធន់តូចនៃឧបករណ៍។