6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers ប្រភេទ 4H-N សម្រាប់ការស្រាវជ្រាវផលិតកម្ម MOS ឬ SBD និងថ្នាក់អត់ចេះសោះ

6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type for MOS or SBD Production Research and dummy grade Featured Image

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ស្រទាប់ខាងក្រោមគ្រីស្តាល់តែមួយ ស៊ីលីកុនកាបៃទំហំ 6 អ៊ីញ គឺជាសម្ភារៈដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត និងគីមីដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។ ផលិតពីវត្ថុធាតុគ្រីស្តាល់តែមួយស៊ីលីកុនកាបៃដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ វាបង្ហាញនូវចរន្តកំដៅដ៏ប្រសើរ ស្ថេរភាពមេកានិច និងធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ ស្រទាប់ខាងក្រោមនេះ ផលិតឡើងជាមួយនឹងដំណើរការផលិតភាពជាក់លាក់ និងវត្ថុធាតុដើមដែលមានគុណភាពខ្ពស់ បានក្លាយជាសម្ភារៈដែលពេញចិត្តសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ក្នុងវិស័យផ្សេងៗ។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វាលកម្មវិធី

ស្រទាប់ខាងក្រោមគ្រីស្តាល់តែមួយ ស៊ីលីកុនកាបៃទំហំ 6 អ៊ីញដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់នៅក្នុងឧស្សាហកម្មជាច្រើន។ ទីមួយ វាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor សម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានថាមពលខ្ពស់ដូចជា ត្រង់ស៊ីស្ទ័រថាមពល សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា និងម៉ូឌុលថាមពល។ ភាពធន់នឹងកំដៅខ្ពស់ និងធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់របស់វា ធ្វើឱ្យការសាយភាយកំដៅបានប្រសើរជាងមុន ដែលនាំឱ្យប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាព និងភាពជឿជាក់។ ទីពីរ wafers ស៊ីលីកុន carbide មានសារៈសំខាន់ក្នុងវិស័យស្រាវជ្រាវសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍសម្ភារៈ និងឧបករណ៍ថ្មី។ លើសពីនេះទៀត silicon carbide wafer រកឃើញកម្មវិធីទូលំទូលាយនៅក្នុងវិស័យ optoelectronics រួមទាំងការផលិត LEDs និង diodes ឡាស៊ែរ។

លក្ខណៈបច្ចេកទេសផលិតផល

ស្រទាប់ខាងក្រោមគ្រីស្តាល់តែមួយ ស៊ីលីកុនកាបៃ 6 អ៊ីញមានអង្កត់ផ្ចិត 6 អ៊ីង (ប្រហែល 152.4 ម.ម)។ ភាពរដុបនៃផ្ទៃគឺ Ra < 0.5 nm និងកម្រាស់គឺ 600 ± 25 μm។ ស្រទាប់ខាងក្រោមអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងជាមួយនឹងចរន្ត N-type ឬ P-type ដោយផ្អែកលើតម្រូវការរបស់អតិថិជន។ លើសពីនេះទៅទៀត វាបង្ហាញនូវស្ថេរភាពមេកានិចពិសេស ដែលអាចទប់ទល់នឹងសម្ពាធ និងរំញ័រ។

អង្កត់ផ្ចិត		150 ± 2.0 មម (6 អ៊ីញ)
កម្រាស់		350 μm± 25μm
ការតំរង់ទិស		នៅលើអ័ក្ស៖ <0001>±0.5°		អ័ក្សបិទ: 4.0° ឆ្ពោះទៅ 1120±0.5°
ពហុប្រភេទ		4H
ភាពធន់ (Ω·សង់ទីម៉ែត្រ)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
ការតំរង់ទិសផ្ទះល្វែងបឋម		{10-10}±5.0°
ប្រវែងសំប៉ែតបឋម (មម)		47.5 មម± 2.5 ម។
គែម		Chamfer
TTV/Bow/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Front (Si-face)		ប៉ូឡូញ Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
ធីធីវី		≤5μm	≤10μm		≤15μm
សំបកក្រូច / រណ្តៅ / ប្រេះ / ការចម្លងរោគ / ស្នាមប្រឡាក់ / ស្នាមប្រឡាក់		គ្មាន	គ្មាន		គ្មាន
ចូលបន្ទាត់		គ្មាន	គ្មាន		គ្មាន

ស្រទាប់ខាងក្រោមគ្រីស្តាល់តែមួយ ស៊ីលីកុន កាបៃទំហំ 6 អ៊ីញ គឺជាសម្ភារៈដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ដែលត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor, ការស្រាវជ្រាវ, andoptoelectronics ។ វាផ្តល់នូវចរន្តកំដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ស្ថេរភាពមេកានិច និងភាពធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ដែលធ្វើឱ្យវាស័ក្តិសមសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចដែលមានថាមពលខ្ពស់ និងការស្រាវជ្រាវសម្ភារៈថ្មី។ យើងផ្តល់ជូននូវការបញ្ជាក់ និងជម្រើសប្ដូរតាមបំណងជាច្រើន ដើម្បីបំពេញតម្រូវការអតិថិជនចម្រុះ។ទាក់ទងមកយើងសម្រាប់ព័ត៌មានលម្អិតអំពី wafers ស៊ីលីកុន carbide!