ស្រទាប់ខាងក្រោម 3inch Dia76.2mm SiC របស់ HPSI Prime Research និង Dummy grades

ស្រទាប់ខាងក្រោម conductive: សំដៅទៅលើភាពធន់នៃស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន 30mΩ-cm ។ ស៊ីលីកុន កាបូនអ៊ីដ្រាតអេពីតស៊ីល វ៉ាហ្វឺរ ដែលត្រូវបានដាំដុះពីស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន កាបូនឌីអុកស៊ីត អាចត្រូវបានផលិតបន្ថែមទៀតទៅជាឧបករណ៍ថាមពល ដែលត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងយានជំនិះថាមពលថ្មី ថាមពលអគ្គីសនី ក្រឡាចត្រង្គឆ្លាតវៃ និងការដឹកជញ្ជូនផ្លូវដែក។

ស្រទាប់ខាងក្រោមពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់សំដៅទៅលើភាពធន់ខ្ពស់ជាង 100000Ω-cm ស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូនដែលត្រូវបានប្រើជាចម្បងក្នុងការផលិតឧបករណ៍ប្រេកង់វិទ្យុហ្គាលីញ៉ូម nitride មីក្រូវ៉េវ គឺជាមូលដ្ឋាននៃវាលទំនាក់ទំនងឥតខ្សែ។

វាជាធាតុផ្សំជាមូលដ្ឋានក្នុងវិស័យទំនាក់ទំនងឥតខ្សែ។

Silicon carbide conductive និង semi-insulating substrates ត្រូវបានប្រើនៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិច និងឧបករណ៍ថាមពលជាច្រើន រួមទាំងប៉ុន្តែមិនកំណត់ចំពោះដូចខាងក្រោម៖

ឧបករណ៍ semiconductor ថាមពលខ្ពស់ (conductive): ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon carbide មានកម្លាំងផ្នែកបំបែកខ្ពស់ និងចរន្តកំដៅ ហើយស័ក្តិសមសម្រាប់ការផលិតត្រង់ស៊ីស្ទ័រថាមពលខ្ពស់ និង diodes និងឧបករណ៍ផ្សេងទៀត។

ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក RF (ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់): ស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូនមានល្បឿនប្តូរខ្ពស់ និងធន់នឹងថាមពល ដែលសមរម្យសម្រាប់កម្មវិធីដូចជា អំភ្លីថាមពល RF ឧបករណ៍មីក្រូវ៉េវ និងកុងតាក់ប្រេកង់ខ្ពស់។

ឧបករណ៍ Optoelectronic (ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់): ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon carbide មានគម្លាតថាមពលធំទូលាយ និងស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់ សមរម្យសម្រាប់បង្កើត photodiodes កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ និង diodes ឡាស៊ែរ និងឧបករណ៍ផ្សេងទៀត។

ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាសីតុណ្ហភាព (ចរន្ត)៖ ស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូនមានចរន្តកំដៅ និងស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់ ដែលស័ក្តិសមសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងឧបករណ៍វាស់សីតុណ្ហភាព។

ដំណើរការផលិត និងការអនុវត្តនៃស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន កាបូនអ៊ីដ្រាត ស៊ីលីកុន ស៊ីលីកុន ស៊ីលីកុន ស៊ីលីកុន កាបូនអ៊ីដ្រាត ស៊ីលីកុន ស៊ីលីកុន ស៊ីលីកន