FZ CZ Si wafer in stock 12inch Silicon wafer Prime or Test

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

12 អ៊ីងស៊ីលីកុន wafer គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ស្តើងដែលប្រើក្នុងកម្មវិធីអេឡិចត្រូនិច និងសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា។Silicon wafers គឺជាសមាសធាតុដ៏សំខាន់បំផុតនៅក្នុងផលិតផលអេឡិចត្រូនិចទូទៅដូចជាកុំព្យូទ័រ ទូរទស្សន៍ និងទូរស័ព្ទដៃ។មានប្រភេទផ្សេងគ្នានៃ wafers ហើយនីមួយៗមានលក្ខណៈសម្បត្តិជាក់លាក់របស់វា។ដើម្បីយល់ពីប្រភេទ wafer ស៊ីលីកុនដែលសមស្របបំផុតសម្រាប់គម្រោងជាក់លាក់មួយ យើងគួរតែយល់ពីប្រភេទផ្សេងៗនៃ wafers និងភាពសមស្របរបស់វា។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

ណែនាំប្រអប់ wafer

ប៉ូឡូញ Wafers

Silicon wafers ដែលត្រូវបានប៉ូលាជាពិសេសនៅលើភាគីទាំងពីរដើម្បីទទួលបានផ្ទៃកញ្ចក់។លក្ខណៈពិសេសដូចជាភាពបរិសុទ្ធនិងភាពរាបស្មើកំណត់លក្ខណៈល្អបំផុតនៃ wafer នេះ។

Undoped Silicon Wafers

ពួកគេត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជា wafers ស៊ីលីកុនខាងក្នុង។សារធាតុ semiconductor នេះគឺជាទម្រង់គ្រីស្តាល់សុទ្ធនៃស៊ីលីកុន ដោយមិនមានសារធាតុ dopant ពាសពេញផ្ទៃ wafer ដូច្នេះធ្វើឱ្យវាក្លាយជា semiconductor ដ៏ល្អ និងល្អឥតខ្ចោះ។

Doped Silicon Wafers

N-type និង P-type គឺជាពីរប្រភេទនៃ wafers silicon doped ។

N-type doped silicon wafers មានផ្ទុកសារធាតុអាសេនិច ឬផូស្វ័រ។វាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងការផលិតឧបករណ៍ CMOS កម្រិតខ្ពស់។

Boron doped P-type silicon wafers ។ភាគច្រើនវាត្រូវបានគេប្រើដើម្បីធ្វើសៀគ្វីបោះពុម្ព ឬ photolithography ។

Epitaxial Wafers

Epitaxial wafers គឺជា wafers ធម្មតាដែលប្រើដើម្បីទទួលបានភាពសុចរិតនៃផ្ទៃ។Epitaxial wafers មាននៅក្នុង wafers ក្រាស់ និងស្តើង។

Multilayer epitaxial wafers និង wafers epitaxial ក្រាស់ក៏ត្រូវបានប្រើដើម្បីគ្រប់គ្រងការប្រើប្រាស់ថាមពល និងការគ្រប់គ្រងថាមពលនៃឧបករណ៍ផងដែរ។

បន្ទះអេពីតាស៊ីលស្តើង ត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅនៅក្នុងឧបករណ៍ MOS កំពូល។

SOI Wafers

wafers ទាំងនេះត្រូវបានប្រើដើម្បីអ៊ីសូឡង់កំដៅស្រទាប់ដ៏ល្អនៃស៊ីលីកុនគ្រីស្តាល់តែមួយពី wafer ស៊ីលីកុនទាំងមូល។SOI wafers ត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅនៅក្នុងកម្មវិធី silicon photonics និងកម្មវិធី RF ដែលដំណើរការខ្ពស់។SOI wafers ក៏ត្រូវបានប្រើដើម្បីកាត់បន្ថយសមត្ថភាពឧបករណ៍ប៉ារ៉ាស៊ីតនៅក្នុងឧបករណ៍មីក្រូអេឡិចត្រូនិច ដែលជួយកែលម្អដំណើរការ។

ហេតុអ្វីបានជាការផលិត wafer ពិបាក?

បន្ទះស៊ីលីកុនទំហំ 12 អ៊ីងគឺពិបាកណាស់ក្នុងការកាត់ជាផ្នែកៗទាក់ទងនឹងទិន្នផល។ទោះបីជាស៊ីលីកុនរឹងក៏ដោយ វាក៏ផុយដែរ។តំបន់រដុបត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយសារតែគែម wafer sawn មានទំនោរនឹងបំបែក។ឌីសពេជ្រត្រូវបានប្រើដើម្បីរលោងគែម wafer និងលុបការខូចខាតណាមួយ។បន្ទាប់ពីកាត់រួច ក្រដាស់បិតបែកយ៉ាងងាយ ព្រោះឥឡូវនេះមានគែមមុតស្រួច។គែម wafer ត្រូវបានរចនាឡើងតាមរបៀបដែលភាពផុយស្រួយគែមមុតស្រួចត្រូវបានលុបចោលហើយឱកាសនៃការរអិលត្រូវបានកាត់បន្ថយ។ជាលទ្ធផលនៃប្រតិបត្តិការបង្កើតគែម អង្កត់ផ្ចិតនៃ wafer ត្រូវបានកែសម្រួល wafer មានរាងមូល (បន្ទាប់ពីកាត់រួច wafer កាត់ចេញជារាងពងក្រពើ) ហើយស្នាមរន្ធ ឬប្លង់តម្រង់ត្រូវបានធ្វើឡើង ឬមានទំហំ។