150mm 200mm 6inch 8inch GaN នៅលើ Silicon Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

6-inch GaN Epi-layer wafer គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ដែលមានគុណភាពខ្ពស់ដែលមានស្រទាប់ gallium nitride (GaN) ដែលដុះនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន។សម្ភារៈមានលក្ខណៈសម្បត្តិដឹកជញ្ជូនអេឡិចត្រូនិចដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ហើយល្អសម្រាប់ផលិតឧបករណ៍ semiconductor ដែលមានថាមពលខ្ពស់ និងប្រេកង់ខ្ពស់។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វិធីសាស្រ្តផលិតកម្ម

ដំណើរការផលិតពាក់ព័ន្ធនឹងការរីកលូតលាស់ស្រទាប់ GaN នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមត្បូងកណ្តៀង ដោយប្រើបច្ចេកទេសកម្រិតខ្ពស់ ដូចជាការទម្លាក់ចំហាយគីមីសរីរាង្គ (MOCVD) ឬ អេពីតាស៊ីនៃធ្នឹមម៉ូលេគុល (MBE)។ដំណើរការនៃការដាក់ប្រាក់ត្រូវបានអនុវត្តក្រោមលក្ខខណ្ឌត្រួតពិនិត្យដើម្បីធានាបាននូវគុណភាពគ្រីស្តាល់ខ្ពស់ និងខ្សែភាពយន្តឯកសណ្ឋាន។

កម្មវិធី GaN-On-Sapphire 6 អ៊ីញ៖ បន្ទះសៀគ្វីត្បូងកណ្តៀងទំហំ 6 អ៊ីង ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងទំនាក់ទំនងមីក្រូវ៉េវ ប្រព័ន្ធរ៉ាដា បច្ចេកវិទ្យាឥតខ្សែ និងអុបតូអេឡិចត្រូនិច។

កម្មវិធីទូទៅមួយចំនួនរួមមាន

1. ឧបករណ៍ពង្រីកថាមពល RF

2. ឧស្សាហកម្មភ្លើង LED

3. ឧបករណ៍ទំនាក់ទំនងបណ្តាញឥតខ្សែ

4. ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចនៅក្នុងបរិយាកាសសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

5. ឧបករណ៍អុបទិក

លក្ខណៈបច្ចេកទេសផលិតផល

- ទំហំ៖ អង្កត់ផ្ចិតនៃស្រទាប់ខាងក្រោមគឺ 6 អ៊ីញ (ប្រហែល 150 មីលីម៉ែត្រ) ។

- គុណភាពផ្ទៃ៖ ផ្ទៃត្រូវបានប៉ូលាយ៉ាងល្អ ដើម្បីផ្តល់នូវគុណភាពកញ្ចក់ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។

- កម្រាស់៖ កម្រាស់នៃស្រទាប់ GaN អាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងតាមតម្រូវការជាក់លាក់។

- ការវេចខ្ចប់៖ ស្រទាប់ខាងក្រោមត្រូវបានខ្ចប់យ៉ាងប្រុងប្រយ័ត្នជាមួយនឹងវត្ថុធាតុប្រឆាំងនឹងឋិតិវន្តដើម្បីការពារការខូចខាតក្នុងអំឡុងពេលដឹកជញ្ជូន។

- គែមដាក់ទីតាំង៖ ស្រទាប់ខាងក្រោមមានគែមកំណត់ទីតាំងជាក់លាក់ ដែលសម្រួលដល់ការតម្រឹម និងប្រតិបត្តិការកំឡុងពេលរៀបចំឧបករណ៍។

- ប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀត៖ ប៉ារ៉ាម៉ែត្រជាក់លាក់ដូចជាស្តើង ធន់ និងកំហាប់សារធាតុ doping អាចត្រូវបានកែតម្រូវតាមតម្រូវការរបស់អតិថិជន។

ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិសម្ភារៈដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងកម្មវិធីចម្រុះរបស់ពួកគេ ស្រទាប់ខាងក្រោមត្បូងកណ្តៀងទំហំ 6 អ៊ីង គឺជាជម្រើសដែលអាចទុកចិត្តបានសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍន៍ឧបករណ៍ semiconductor ដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់នៅក្នុងឧស្សាហកម្មផ្សេងៗ។

ស្រទាប់ខាងក្រោម	6" 1mm <111> p-type Si	6" 1mm <111> p-type Si
Epi ThickAvg	~ ៥ ម	~ ៧ ម
Epi ThickUnif	<2%	<2%
ធ្នូ	+/-45 អឹម	+/-45 អឹម
ការបង្ក្រាប	<5 ម។	<5 ម។
បញ្ឈរ BV	> 1000V	> 1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG conc ។	~១០¹³cm^-2	~១០¹³cm^-2
ភាពចល័ត	~ ២០០០ ស²/Vs (<2%)	~ ២០០០ ស²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)