200mm 8inch GaN នៅលើ sapphire Epi-layer wafer substrate

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ដំណើរការផលិតពាក់ព័ន្ធនឹងការលូតលាស់នៃស្រទាប់ GaN នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម Sapphire ដោយប្រើបច្ចេកទេសកម្រិតខ្ពស់ដូចជាការទម្លាក់ចំហាយគីមីនៃលោហធាតុ (MOCVD) ឬ molecular beam epitaxy (MBE)។ការទម្លាក់ត្រូវបានអនុវត្តក្រោមលក្ខខណ្ឌត្រួតពិនិត្យ ដើម្បីធានាបាននូវគុណភាពគ្រីស្តាល់ខ្ពស់ និងឯកសណ្ឋាននៃខ្សែភាពយន្ត។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

ការណែនាំអំពីផលិតផល

ស្រទាប់ខាងក្រោម GaN-on-Sapphire ទំហំ 8 អ៊ីង គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ដែលមានគុណភាពខ្ពស់ ផ្សំឡើងពីស្រទាប់ Gallium Nitride (GaN) grownon ស្រទាប់ខាងក្រោម Sapphire ។សម្ភារៈនេះផ្តល់នូវលក្ខណៈសម្បត្តិដឹកជញ្ជូនអេឡិចត្រូនិចដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្អសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍ semiconductor ដែលមានថាមពលខ្ពស់ និងប្រេកង់ខ្ពស់។

វិធីសាស្រ្តផលិតកម្ម

កម្មវិធី

ស្រទាប់ខាងក្រោម GaN-on-Sapphire ទំហំ 8 អ៊ីង ស្វែងរកកម្មវិធីយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងវិស័យផ្សេងៗ រួមទាំងទំនាក់ទំនងមីក្រូវ៉េវ ប្រព័ន្ធរ៉ាដា បច្ចេកវិទ្យាឥតខ្សែ និងអុបតូអេឡិចត្រូនិច។កម្មវិធីទូទៅមួយចំនួនរួមមាន:

1. ឧបករណ៍ពង្រីកថាមពល RF

2. ឧស្សាហកម្មភ្លើង LED

3. ឧបករណ៍ទំនាក់ទំនងបណ្តាញឥតខ្សែ

4. ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចសម្រាប់បរិស្ថានដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

5. Oឧបករណ៍ ptoelectronic

លក្ខណៈបច្ចេកទេសផលិតផល

-វិមាត្រ៖ ទំហំស្រទាប់ខាងក្រោមមានទំហំ ៨អ៊ីញ (២០០មម) មានអង្កត់ផ្ចិត។

- គុណភាពផ្ទៃ៖ ផ្ទៃត្រូវបានប៉ូលាដល់កម្រិតភាពរលោងខ្ពស់ និងបង្ហាញគុណភាពដូចកញ្ចក់។

- កម្រាស់: កម្រាស់ស្រទាប់ GaN អាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងដោយផ្អែកលើតម្រូវការជាក់លាក់។

- ការវេចខ្ចប់៖ ស្រទាប់ខាងក្រោមត្រូវបានខ្ចប់យ៉ាងប្រុងប្រយ័ត្នក្នុងវត្ថុធាតុប្រឆាំងនឹងឋិតិវន្ត ដើម្បីការពារការខូចខាតក្នុងអំឡុងពេលឆ្លងកាត់។

- Orientation Flat: ស្រទាប់ខាងក្រោមមានសំប៉ែតតំរង់ទិសជាក់លាក់ដើម្បីជួយក្នុងការតម្រឹម wafer និងការដោះស្រាយកំឡុងពេលដំណើរការផលិតឧបករណ៍។

- ប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀត៖ ភាពជាក់លាក់នៃកម្រាស់ ភាពធន់ និងការប្រមូលផ្តុំសារធាតុ dopant អាចត្រូវបានកែសម្រួលតាមតម្រូវការរបស់អតិថិជន។

ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិសម្ភារៈដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងកម្មវិធីដែលអាចប្រើប្រាស់បាន ស្រទាប់ខាងក្រោម GaN-on-Sapphire ទំហំ 8 អ៊ីញ គឺជាជម្រើសដែលអាចទុកចិត្តបានសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍន៍ឧបករណ៍ semiconductor ដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់នៅក្នុងឧស្សាហកម្មផ្សេងៗ។

លើកលែងតែ GaN-On-Sapphire យើងក៏អាចផ្តល់ជូនក្នុងវិស័យកម្មវិធីឧបករណ៍ថាមពល គ្រួសារផលិតផលរួមមាន 8-inch AlGaN/GaN-on-Si epitaxial wafers និង 8-inch P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaxial wafers ។ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ យើងបានបង្កើតកម្មវិធីថ្មីនៃបច្ចេកវិទ្យា GaN epitaxy 8-inch កម្រិតខ្ពស់របស់ខ្លួននៅក្នុងវាលមីក្រូវ៉េវ ហើយបានបង្កើតនូវ 8-inch AlGaN/ GAN-on-HR Si epitaxy wafer ដែលរួមបញ្ចូលគ្នានូវដំណើរការខ្ពស់ជាមួយនឹងទំហំធំ តម្លៃទាប។ និងត្រូវគ្នាជាមួយដំណើរការឧបករណ៍ 8 អ៊ីញស្តង់ដារ។បន្ថែមពីលើហ្គាលីញ៉ូមនីត្រាតដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុន យើងក៏មានខ្សែផលិតផលនៃ AlGaN/GaN-on-SiC epitaxial wafers ដើម្បីបំពេញតាមតម្រូវការរបស់អតិថិជនសម្រាប់សម្ភារៈ epitaxial gallium nitride ដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុន។