50.8mm 2inch GaN នៅលើ sapphire Epi-layer wafer
ការប្រើប្រាស់សន្លឹក Galium nitride GaN epitaxial
ដោយផ្អែកលើការអនុវត្តនៃ gallium nitride បន្ទះសៀគ្វី gallium nitride epitaxial គឺសមរម្យជាចម្បងសម្រាប់កម្មវិធីថាមពលខ្ពស់ ប្រេកង់ខ្ពស់ និងវ៉ុលទាប។
វាត្រូវបានឆ្លុះបញ្ចាំងនៅក្នុង:
1) កម្រិត bandgap ខ្ពស់៖ កម្រិត bandgap ខ្ពស់ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវកម្រិតវ៉ុលនៃឧបករណ៍ gallium nitride និងអាចបញ្ចេញថាមពលខ្ពស់ជាងឧបករណ៍ gallium arsenide ដែលជាពិសេសគឺសមរម្យសម្រាប់ស្ថានីយ៍មូលដ្ឋានទំនាក់ទំនង 5G រ៉ាដាយោធា និងវាលផ្សេងៗទៀត។
2) ប្រសិទ្ធភាពនៃការបំប្លែងខ្ពស់៖ ភាពធន់នឹងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកហ្គាលីញ៉ូមនីត្រាតប្តូរថាមពលគឺ 3 លំដាប់ទាបជាងឧបករណ៍ស៊ីលីកុន ដែលអាចកាត់បន្ថយការបាត់បង់ការប្តូរយ៉ាងសំខាន់។
3) ចរន្តកំដៅខ្ពស់: ចរន្តកំដៅខ្ពស់នៃ gallium nitride ធ្វើឱ្យវាមានដំណើរការបញ្ចេញកំដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ សមស្របសម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍ដែលមានថាមពលខ្ពស់ សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងផ្នែកផ្សេងទៀតនៃឧបករណ៍។
4) ការបំបែកកម្លាំងវាលអគ្គិសនី: ទោះបីជាកម្លាំងនៃវាលអគ្គិសនីបំបែកនៃ gallium nitride គឺជិតទៅនឹង silicon nitride, ដោយសារតែដំណើរការ semiconductor, បន្ទះឈើមិនស៊ីគ្នានៃសម្ភារៈនិងកត្តាផ្សេងទៀត, ការអត់ធ្មត់វ៉ុលនៃឧបករណ៍ gallium nitride ជាធម្មតាប្រហែល 1000V, និង វ៉ុលប្រើប្រាស់ដោយសុវត្ថិភាពជាធម្មតាស្ថិតនៅក្រោម 650V ។
| ធាតុ | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| វិមាត្រ | e 50.8mm ± 0.1mm | ||
| កម្រាស់ | 4.5 ± 0.5 អឹម | 4.5±0.5um | |
| ការតំរង់ទិស | យន្តហោះ C(0001) ±0.5° | ||
| ប្រភេទនៃការអនុវត្ត | ប្រភេទ N (មិនបានបិទ) | N-type (Si-doped) | ប្រភេទ P (Mg-doped) |
| ភាពធន់ (3O0K) | < 0.5 Q・cm | < 0.05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| ការប្រមូលផ្តុំក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន | < 5x1017សង់ទីម៉ែត-3 | > 1x1018សង់ទីម៉ែត-3 | > 6x1016 សង់ទីម៉ែត្រ-3 |
| ភាពចល័ត | ~ 300 សង់ទីម៉ែត្រ2/Vs | ~ 200 សង់ទីម៉ែត្រ2/Vs | ~ 10 សង់ទីម៉ែត្រ2/Vs |
| ដង់ស៊ីតេនៃការផ្លាស់ទីលំនៅ | តិចជាង 5x108សង់ទីម៉ែត-2(គណនាដោយ FWHMs នៃ XRD) | ||
| រចនាសម្ព័ន្ធស្រទាប់ខាងក្រោម | GaN លើត្បូងកណ្តៀង (ស្តង់ដារ៖ ជម្រើស SSP៖ DSP) | ||
| ផ្ទៃដែលអាចប្រើបាន | > 90% | ||
| កញ្ចប់ | ខ្ចប់ក្នុងបរិយាកាសបន្ទប់ស្អាតថ្នាក់ 100 ក្នុងប្រអប់ 25pcs ឬធុង wafer តែមួយ ក្រោមបរិយាកាសអាសូត។ | ||
* កម្រាស់ផ្សេងទៀតអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណង
ដ្យាក្រាមលម្អិត
